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記事検索結果
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産業技術総合研究所(産総研)では、Siパワエレを超える性能を目指して、新材料であるワイドギャップ半導体、特に炭化ケイ素(SiC)に注目し、ウエハーからモジュールまでの各...
産総研は東京大学、ローザンヌ大学と共同で、年老いた働きアリではオキシトシン様ホルモンが多く発現して体表面の炭化水素の合成を促し野外環境でアリが長時間活動するための乾燥環境への耐性に関わることを見いだし...
【京都】ロームの炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスが、中国車載部品大手ユナイテッド・オートモーティブ・エレクトロニック・システムズ(UAES、上海市)の電気自動車用充電...
【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスと駆動ICを、ウェブ上の仮想回路で一括検証できる電子回路設計者向けシミュレーションツール「ロームソリューションシミュレーター=...
次世代のSiC(炭化ケイ素)製品が脚光を浴びるが、5年もすればコモディティー化する。
炭化ケイ素(SiC)を材料としたワイドバンドギャップ半導体の採用や、高周波スイッチング技術により小型化と高効率化を実現した。
アドマップは独自技術を持つ化学気相成長(CVD)―炭化ケイ素(SiC)の開発から販売まで手がけていた。
大陽日酸は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーデバイス向けに、銅ナノ粒子を用いたシート状の接合材を開発した。
同繊維は炭化ケイ素(SiC)でできた繊維で、耐熱温度は1800度C以上、重さは金属の3分の1。
シリコンパワー半導体を超える低損失で大電力を制御できる新しいパワー半導体として炭化ケイ素(SiC)が期待されている。
他工場から移設する数値制御(NC)加工機18台などに加え、自動倉庫や炭化水素系洗浄機などの最先端設備を導入する。
【京都】FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅(ひとら)俊実社長、075・963・5202)は、独自の酸化ガリウム製半導体を用い、素子性能を表す移動度が一般の...
住友大阪セメントは、半導体製造装置向けの炭化ケイ素(SiC)セラミック部品を製造する市川事業所(千葉県市川市)で、セラミック焼成用のホットプレス(焼成炉)...
2018年4月には、航空機関連市場などをターゲットとする菊水電子工業が、炭化ケイ素(SiC)を搭載することで従来製品に比べて体積当たりの電力を約3倍に向上した交流安定化電源を発売。
30年の炭化ケイ素(SiC)系は同10.8倍の4230億円、窒化ガリウム(GaN)系が同60.3倍の1085億円と大幅に伸びる予測を立てた。 &...
ナノレベル(ナノは10億分の1)の加工精度が求められる光学レンズ製造用金型や、扱いが難しい炭化ケイ素(SiC)金型などの生産効率を高める。
新コーティング技術「デューロレイコーティング」は、炭化ケイ素を含有した耐熱層と微細周期の積層構造により耐熱性、耐摩耗性、靱(じん)性を高めた。
