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記事検索結果
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材料に炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いた次世代パワー半導体の市場も拡大し、20年には全体の7%(現状では1%以下)を占...
産業技術総合研究所、太平洋セメント、屋久島電工(東京都中央区、下泉学社長、03・3243・1112)は、従来の約2倍の速さでパワー半導体用の炭化ケイ素(SiC)単結晶が...
インバーターでは発熱が少ない炭化ケイ素(SiC)製のパワーデバイスを採用し現行モデル比半分以下に小型化する。
【岐阜】ナガセインテグレックス(岐阜県関市、長瀬幸泰社長、0575・46・2323)は、次世代パワー半導体材料として注目される6インチの炭化ケイ素(SiC)ウエハーを、...
HVや電気自動車(EV)などに搭載するインバーターは発熱が少ない炭化ケイ素(SiC)製パワーデバイスを採用。
大賞はフォトンデザイン(東京都北区、清水良祐社長=写真右)の炭化ケイ素(SiC)半導体評価装置「SemiScope」が受賞し、猪瀬直樹都知事(同中央&#...
【岐阜】和井田製作所は炭化ケイ素(SiC)系やサファイア系の半導体ウエハー用の平面研削盤「SIG―V4=写真」を発売した。
【京都】サムコは炭化ケイ素(SiC)を材料とするパワー半導体用のドライエッチング装置の量産機「RIE―600iPC=写真」を15日に発売する。... SiCウエハーのエッチング...
三菱電機は炭化ケイ素(SiC)を使った世界最大サイズの1平方センチメートル大のパワー半導体トランジスタを開発した。... 宮崎市で開催中のSiC関連で世界最大の国際会議(ICS...
昭和電工は30日、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーで、世界最大となる直径6インチ(150ミリメートル)の量産化技術を確立し、10月に発...
産業技術総合研究所は従来のシリコン材料では不可能な、16キロボルトの高電圧に耐える炭化ケイ素(SiC)パワー半導体トランジスタを開発した。... SiC半導体は優れた物理的・化学的性質...
グンゼは炭化ケイ素(SiC)繊維で安定的に原子炉燃料棒の被覆管材料をつくる生産技術を確立した。... グンゼが開発に取り組んでいる燃料被覆管は、SiC繊維とSiC粉末を用いた複合材料。...
産業技術総合研究所は、つくば西事業所(茨城県つくば市)にある炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の試作ラインを増強する。... 産総研はSiCパワー半導体の量産技術確立を重...
現状の開発支援は半導体材料別で炭化ケイ素(SiC)のみだが、シリコンなど他材料まで広げた全方位支援体制に切り替える。... 経産省は14年度からSiCに加えて、シリコンと窒化ガリウム&...
そこに燃料電池セルを組み立て、厚さ150ナノメートル(ナノは10億分の1)の炭化ケイ素(SiC)薄膜を通して軟X線を当て、戻ってきた軟X線を計測することで発電中でも観察...
10月には当工場に、新材料の炭化ケイ素(SiC)を使った電力損失が少ないパワー半導体の量産一貫ラインが完成する予定だ」 ―生産方式や付帯設備による強みは。 &...
透明な二酸化ケイ素(SiO2)と、高温耐熱性のある炭化ケイ素(SiC)の特性をうまく組み合わせた。... 最終的な重量組成はSiO2が82・5%、SiCが16・...
次世代のデバイス材料として有力な炭化ケイ素(SiC)やダイヤモンドなど、高温条件下での動作試験が欠かせない素子の電気特性を評価できるようになる。
一方で同社が目下力を入れているのが、サファイアや炭化ケイ素(SiC)など今後の需要拡大が見込まれるウエハー材料への対応だ。... 最大のネックは高額なSiC材料の入手だったが、国の12...
