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記事検索結果
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導電膜材料に用いた銀ナノワイヤ溶液は、現在主流のインジウム・スズ酸化膜(ITO)より屈曲性と成形性が高い。
ガリウム・ヒ素の半導体に、直径50ナノメートル、厚さ5ナノメートルのインジウム・ヒ素製の量子ドットを2個、精度良く重ねて埋め込む技術を開発した。
半導体製造装置や液晶パネル製造装置のほか、CIGS(銅、インジウム、ガリウム、セレン)系太陽電池、建材用ガラス、ハードディスク駆動装置(HDD)の各製造工程向けで需給が...
電気伝導度(比抵抗)は3×10のマイナス4乗オームセンチメートルで、透明導電膜材料で現在主流のインジウム・スズ酸化物(ITO)の代替が可能な性能を実現した。希...
フォトニック結晶中に、インジウム・リン系の材料を使って、従来比約10分の1に小型化した体積0・18立方マイクロメートル(マイクロは100万分の1)の活性層を持つ、埋め込みヘテロ構造の共...
静電容量方式のタッチパネルは、ポリエチレンテレフタレート(PET)ベースフィルム上に透明電極となるインジウム・スズ酸化物(ITO)で回路を描く。
日鉱金属の豊羽鉱山は亜鉛、鉛、インジウムなど鉱山としての約100年間操業したが、採掘資源量の枯渇や鉱床深部の温度が高いことが理由で2006年3月に閉山している。
■北海道・東北■■■ 【北海道】▽道産酒エキス化粧品の開発と多品種小ロットサンプル製造システムの開発(粧薬研究所) 【岩手県】▽位置決め技術を活用した新方式ネ...
CIS(銅、インジウム、セレン)薄膜太陽電池モジュール、パワーコンディショナーや架台セットなど周辺機器を含むシステム一式を施工工事込みでセット販売する。
シリコン基板上にインジウム・ガリウム・ヒ素(III―V族化合物半導体)を集積する新技術を開発、酸化アルミニウムの絶縁膜上に形成したIII―V族化合物半導体(III―V―OI&#...
p型(電荷を運ぶキャリアが正孔)、i型(不純物を含まない真性半導体)、n型(キャリアが自由電子)のガリ・ヒ素を組み合わせたヘテロ(異種)...
スイッチング効率が高いインジウム・ガリウム・ヒ素・リンを採用し、フォトニック結晶のナノ共振器を使って光スイッチを作製した。
