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シリコン基板上に単結晶の炭化ケイ素(SiC)薄膜を成長させ、この薄膜表面にグラフェンを形成する。... 応用として、シリコン集積回路の主要技術であるイオン注入法でSiC薄膜の欠陥密度を...

エネゲート(大阪市北区、多山洋文社長、06・6458・7301)とローム、関西電力は20日、内蔵するパワー半導体素子をすべて炭化ケイ素(SiC)製とした無停電電源装置&...

炭化ケイ素(SiC)パワー半導体など次世代の省エネ部品を使い、もっと高効率なシステムを予定していた。

三菱電機は材料に炭化ケイ素(SiC)を用いたパワー半導体モジュール3製品を発売した。... 三菱電機が発売した鉄道車両装置向けSiCパワー半導体モジュールは定格電圧1700ボルト、定格...

次世代半導体に用いる炭化ケイ素(SiC)やサファイア基板の高精度ダイシングが可能。

新エネルギーや自動車業界で、炭化ケイ素(SiC)などのデバイスを開発に活用するため、波形のゆがみが大きくなっている現状に対応する。

(微細加工展) 【硬強度硬脆材の切削・研削対応】 木村製作所(京都府長岡京市、075・953・2721)は、チタ...

シリコンのほか、炭化ケイ素(SiC)とサファイアのレーザー切断技術も確立している。

3年ほど前に炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などを用いた次世代パワー半導体向けウエハー研磨事業を立ち上げた。

三菱電機は電力損失の少ない大容量炭化ケイ素(SiC)パワーモジュールを採用した鉄道車両用補助電源装置(写真)を開発し、東京メトロの銀座線新型車両に納入した。

炭化ケイ素(SiC)パワー半導体や発光ダイオード(LED)基板などを製造する際の超高温プロセスの制御に向く温度センサーとして拡販する。

シリコン基板を採用しており、基板自体をGaNでつくる技術や炭化ケイ素(SiC)基板、サファイア基板の各採用品に比べて低コスト化が可能だ。

炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の一部工程も担っていた。

日本メーカーは大口径化で後塵(こうじん)を拝すが、炭化ケイ素(SiC)などの新材料を使った次世代品で存在感を高める。

エネルギー分野では文部科学省の知的クラスター創成事業で取り組んだ「京都環境ナノクラスター」事業の成果を踏まえ、節電・創電・蓄電に関する炭化ケイ素(SiC)や電池関連部材・電極材料、二酸...

炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体の搭載で変換効率98%の商品も開発中。

発光ダイオード(LED)や炭化ケイ素(SiC)半導体などの製造プロセスでの採用を見込む。

京都高度技術研究所は、5日13時から京都市下京区のホテルグランヴィア京都で「SiCパワーエレクトロニクスシンポジウム」を開く。炭化ケイ素(SiC)研究の松波弘之京都大学名誉教授ら大学の...

【神戸】トーカロは炭化ケイ素(SiC)の表面にアルミナ、ムライト、イットリアなどを皮膜した部材「セラミックコーティング炭化ケイ素部材」を開発した。... 大気プラズマ溶射法を使い、Si...

日本では三菱電機が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールで高シェアを誇るほか、ロームが次世代品とされる炭化ケイ素(SiC)製の製品開発を加速している。

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