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記事検索結果
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京都大学大学院工学研究科電子工学専攻の須田淳准教授と木本恒暢教授らの研究グループは23日、炭化ケイ素(SiC)半導体を用いて2万ボルトの電圧に耐えるトランジスタの作製に成功したと発表し...
販売面でもLEDの製造工程で使う炭化ケイ素(SiC)コーティングした『サセプター』など高付加価値製品の販売を拡大する方針だ》 「LED製造向けのサセプターはLEDの歩...
【パワー素子】 現状では、電力の制御ツールである電力変換器はケイ素(Si)を用いたパワー素子の技術に立脚している。... Siに代わる材料に炭化ケイ素(SiC...
ただ炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いた次世代パワー半導体に交換することにより、電力損失を抑制しつつ、従来品以上に高温動作が可能になる。
昭和電工は30日、秩父事業所(埼玉県秩父市)でパワー半導体に使う炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハー(直径4インチ=約100ミリメートル)...
【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)は30日、炭化ケイ素(SiC)結晶で結晶面が上下にずれる「らせん転位」と呼ばれる欠陥の構造を解明したと発表した。......
【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)は23日、炭化ケイ素(SiC)結晶の表裏両面の欠陥検出法をトヨタ自動車と共同で開発したと発表した。SiC結晶に水酸化カ...
【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)材料技術研究所エレクトロ・マテリアルグループの石川由加里主任研究員らは、研磨剤に薬剤を混ぜない機械研磨で炭化ケイ素(SiC&#...
炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスを使うことで、低導通抵抗の動作を実現。... 新型ドライブシステムには、ロームと共同開発したSiC製パワーデバイスモジュールを採用。
炭化ケイ素(SiC)の基板上にグラフェンを作り込む場合、基板表面にナノレベルの段差があると電子密度が均一ではなく、バラつきが生じることになる。... 具体的には微細加工処理したSiC基...
省エネルギー性能に優れ、現行のシリコンに代わる次世代技術として注目されるのが、炭化ケイ素(SiC)によるパワー半導体。... さがみはら産業創造センター(相模原市緑区)...
このほど11年までほとんど実績がなかったLED用サファイア基板やパワー半導体用炭化ケイ素(SiC)基板の原料となる結晶生産溶融炉向けの導入が決定。
特に海外においては同業他社との協業も視野に入れながら販路を拡大し、新規開拓を進めていく」 ―炭化ケイ素(SiC)を採用した製品の開発状況は。 ......
炭化ケイ素(SiC)半導体は耐熱性が高いが、デバイスとして実装に使われるはんだが熱に弱いため耐熱性を十分に発揮できない恐れがあった。 そこで銀粒子で接合すればSiCが...
三菱電機は9日、材料に炭化ケイ素(SiC)を用いた家電製品・産業機器向けのパワー半導体モジュール5品種を開発したと発表した。SiC製のショットキーバリアダイオード(SBD...
「炭化ケイ素(SiC)製の製品はすでに基礎開発が終わった。... SiCはシリコン製に比べて10倍以上高い。
【京都】ロームは汎用性の高い炭化ケイ素(SiC)製の酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を完成、7月に量産する。SiC製ショットキーバリアダイオード&...
【京都】ロームは順方向電圧1・35ボルトと従来品比1割低減した炭化ケイ素(SiC)製ショットキーバリアダイオード(SBD、写真)を完成した。... オン・オフ切り替え時...
