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次世代の半導体材料である炭化ケイ素(SiC)を用いて耐圧を高め、1500ボルトの高電圧向け鉄道車両での使用を可能にした。... SiCは現在主流のシリコンに比べて耐熱性が高く、小型・軽...

インバーターのスイッチングに使うパワー半導体素子には炭化ケイ素(SiC)を採用。

1月にリニューアルした精密装置工場では炭化ケイ素(SiC)などの高硬度基板を切断する超音波切断装置を生産している。

太平洋セメントと屋久島電工(東京都中央区)は、2012年度内に次世代パワー半導体の原料となる超高純度炭化ケイ素(SiC)粉末の量産を始める。... 11年7月からSiC...

新素材は「セラミックス基複合材料(CMC)」で、ニッケル(Ni)基合金を超える耐熱性、軽量な炭化ケイ素(SiC)で構成している。

出力2・7キロワットタイプには炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を搭載し、変換効率を95・5%とした。

ルネサスエレクトロニクスは炭化ケイ素(SiC)を活用したダイオードとシリコン(Si)製の高耐圧トランジスタを一つのパッケージにまとめたパワー半導体3製品の出荷を2月に始...

日本触媒は18日、250度Cの耐熱性を持つ炭化ケイ素(SiC)パワー半導体向け封止材を開発したと発表した。

エイアールブイは窒化ホウ素や炭化ケイ素(SiC)を用いた放熱シートやチタン加工・ステンレス加工用切削油の製造販売が主力。

「窒化ガリウム(GaN)でも炭化ケイ素(SiC)でも、後発メーカーになるわけだから、格段の差が求められる。

三菱電機パワーデバイス製作所(福岡市西区)は炭化ケイ素(SiC)半導体の量産に向けた準備を始めた。

ロームはシリコン製に代わるパワー半導体で高電圧・大電力の制御に向く炭化ケイ素(SiC)製を10年から量産している。耐圧600ボルト以上はSiC、それ以下はGaN製を実用化し次世代パワー...

6億円を投じて、太陽電池向け電子ペーストや炭化ケイ素(SiC)基板用の研磨工具などの研究開発に使う各種試験・評価装置を導入する。

【次世代パワー半導体材料】 「炭化ケイ素・窒化ガリウム」耐電圧・放電性競う 家電製品から電気自動車まで広く普及が見込まれる次世代型パワー半導体。... このため現状...

炭化ケイ素(SiC)の単結晶を採用した工具の産学共同開発を進めている。

この課題を克服できるのが炭化ケイ素(SiC)で、“ポスト”シリコンとして実用化が始まっている。... SiCダイオードの生産を始めた。 ただ、SiCにも課題はある。

パナソニックは炭化ケイ素(SiC)デバイスを使ったインバーター回路の部品点数を半減する技術を開発した。... SiCインバーター回路の大きさを2分の1にでき、コストと消費電力の削減が見...

東芝は8日、炭化ケイ素(SiC)ダイオードを使った鉄道車両向け永久磁石同期モーター(PMSM)用インバーター(写真)を開発したと発表した。... 東芝が...

新日本製鉄は6日、高性能パワー半導体の量産・普及のカギとなる6インチ径の炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハー(写真右)を開発したと発表した。... SiCは従来のデバイス...

半導体メーカーが2012年度にも基板材料に炭化ケイ素(SiC)を使う次世代パワー半導体のウエハーを大型化する。... SiCのダイオードはすでにロームや三菱電機が生産。... SiCが...

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