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n型とp型を作り込んだ相補型金属酸化膜半導体(CMOS)にしても、オン電流は30%程度増えるという。

相補型金属酸化膜半導体(CMOS)集積シリコン・ナノフォトニクスと呼ばれる新技術で、10年間にわたって研究してきた成果。

ソニー製相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの販売が好調だ。

同社では保護回路の中でも小型化のキーパーツで、充放電保護回路のスイッチ用途として使われるMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)の小型薄型化をこれまでも進めてきた。... ...

主力の電子部品・デバイス分野は同6・4%減で、金属酸化膜半導体(MOS)集積回路や光電変換素子などの品目が低下。

ソニーは8日、映画用フィルムに相当するスーパー35ミリメートル相当の単板相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーを採用しながら低価格なデジタルシネマカムコーダー「PMW―F3...

65ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスを使って実際にチップを試作した。

ほかに、一眼レフカメラの約4倍の画素面積を持つ35ミリメートル相当の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載した4K(4096×2160)解像度の映像...

保護技術は、加工線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術で試作したチップを使って実証。

1200万画素の裏面照射型相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを採用。

光学特性と成形性を生かして、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー用レンズ素材として訴求する。

ソニーは7日、携帯電話向けに1641万画素の裏面照射型相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー「IMX081PQ=写真」などを発売し、2011年1月から順次出荷すると...

約1320万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を搭載し、デジタルカメラで培った画像処理技術などを盛り込んで暗い場所で明るくきれいな画像を撮影できる。

オムロンは10マイクロメートル(マイクロは100万分の1)精度の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)搭載レーザー変位センサー「ZX2シリーズ=写真」を発売した。

トレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)モジュール(写真左)4個と、ショットキーバリアダイオード(SBD)モジュール(同右&...

今回のHDビデオ会議システムは21・6型モニターと800万画素相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサー搭載のカメラなどを一体にした。

12年度までに低圧・高圧のパワーMOS―FET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)約600品目を開発。

開発したトランジスタは、単結晶のシリコン基板上に薄膜単結晶シリコン層と薄膜シリコン酸化膜層を形成した絶縁膜上シリコン(SOI)基板を用いて作製した。ワイヤの断面は高さ12ナノメートル、...

65ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスを使い、毎秒25ギガビット速度に対応したトランスインピーダンス増幅器のチップを試作した...

東北大学流体科学研究所の寒川誠二教授らは産業技術総合研究所と共同で、次世代LSI向けに4端子を持つ新構造のたて型金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタを開発した。低温で酸化できる中性粒...

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