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13年ごろに導入される28ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで量産化を目指す。

三洋半導体は携帯機器用に低電圧で駆動する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のサンプル出荷を始めた。

撮像素子は1230万画素のAPS―Cサイズの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーで、23ミリメートルF2の単焦点レンズを搭載。

三洋電機は26日、リチウムイオン二次電池の充放電時の発熱、劣化を抑える保護回路用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を開発したと発表した。保護膜を付けることで、こ...

1240万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載し、毎秒6コマの連写が可能。

主力の電子部品・デバイス分野では、金属酸化膜半導体(MOS)集積回路や固定コンデンサーの生産が低下した。

伊仏STマイクロエレクトロニクスも11年度にはSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を視野に入れる。

そこで研究チームは下から順にシリコン、二酸化シリコン、1層のグラフェンを置いた基盤の上に、ナノメートル(ナノは10億分の1)サイズのワイヤを使ったゲート構造を開発。... アクセス抵抗...

1800万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを使用し、常用設定できるISO感度の上限を従来機種の3200から6400に引き上げた。

約1620万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを新たに開発。

新開発の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーと画像処理エンジンを搭載したデジタル一眼レフカメラ「ニコン D3100」も同日発売する。

特に需要が強いのが携帯電話端末で、CMOS(相補型金属酸化膜半導体)などイメージセンサーの増産に充てる。

基幹産業の電子部品・デバイス分野は、金属酸化膜半導体(MOS)集積回路などが低下し、落ち込んだ。

従来の19・5倍の受光面積を持つ1460万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載し、一眼レフのようなボケ味を出せるほか、高感度撮影も実現。

NTTは相補型金属酸化膜半導体(CMOS)に集積化が可能な、人工的な周期構造である「フォトニック結晶」を使った半導体レーザーを開発した。

FX700とFZ100では、同社としては初めてコンパクト型に金属酸化膜半導体(MOS)センサーを採用した。

LED封止材や相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーのレンズなど向けに提案している。 ... ジルコニアはテレビの反射防止膜の高屈折率層に利用されている。...

ルネサスエレクトロニクスは実装面積を従来品に比べ半分にした電力制御用パワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)2品種のサンプル出荷を8月に始める。

低電圧用途に利用する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を中心に拡販し、成長事業での需要を取り込む。

民生用デジタルカメラで実績のある、高感度な相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを採用。

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