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現在半導体大手は極端紫外線(EUV)露光を用いて線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)の実現を目指している。
蘭ASML、キヤノン、ニコンの大手3社のうち、唯一極端紫外線(EUV)露光装置の開発に成功しているASMLが市場トップを独走する。... ASML、EUV供給を独占 ...
現在の半導体露光装置は26ミリ×33ミリメートルの範囲を露光できる「スキャナー」方式が主流だが、22ミリメートル角の範囲を露光できる「ステッパー」方式の採用を検討している。露光時の縮小倍率は...
「(半導体性能が1年半から2年で2倍になるという)ムーアの法則は今後10年以降も続いていく見通しで、それを中心的に支えるのが最先端の極端紫外線(EUV)露光装置。......
AGCは25日、最先端の半導体製造プロセスである極端紫外線(EUV)露光用部材の生産能力を2024年までに現在の2倍に増強すると発表した。... EUVマ...
極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストの生産を控えるなど順調に成長しているが、まだまだ飛躍する余地がある。
半導体回路の微細化に寄与する極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストなどが好調なJSRは、今後も半導体材料を中心に高成長が続くと見込み、22年3月期連結業績予想を上方修正した。......
ADEKAは30日、極端紫外線(EUV)露光向け光酸発生剤の生産能力を従来比2倍以上に引き上げると発表した。... フッ化アルゴン(ArF)液浸露光向けに加え、半導体の...
調査会社の富士経済(東京都中央区)によると、半導体に回路パターンを焼き付ける露光工程で使うフォトレジスト市場は、2026年に20年実績から5割超拡大する見通しだ。 ....
ArF(フッ化アルゴン)液浸露光向けを中心に販売は好調で、今後は5Gなどの普及で需要増加が見込まれる最先端の極端紫外線(EUV)露光向けを拡販する。
半導体に回路パターンを焼き付ける露光工程向けの感光材「フォトレジスト」は、液浸フッ化アルゴン(ArF)露光などに対応する最先端製品の生産能力を19年度比2・25倍に引き上げる。... ...
大日本印刷は、キオクシアホールディングス(旧東芝メモリホールディングス)、キヤノンと共同で開発を進める「ナノインプリントリソグラフィ(NIL)」での半導体製造が極端紫外...
半導体回路の微細化に欠かせない「極端紫外線(EUV)露光」への期待感が高まっている。EUV露光装置を手がける蘭ASMLが、露光工程の歩留まり低下を防止する「ペリクル(防塵カバー...
東京エレクトロンは8日、ベルギーの研究機関imecと蘭ASMLが共同で運営するオランダの研究所「imec―ASML共同高NA EUV研究所」に自社の最先端の塗布現像装置を導入すると発表した。同...
AGC、フォトマスク母材拡販/三井化、保護膜“正規品”生産 極端紫外線(EUV)露光プロセス向け半導体材料・部材の需要が拡大してきた。... (梶原...
三井化学は、極端紫外線(EUV)露光プロセスで使われるフォトマスクの防塵カバー「EUVペリクル=写真」の商業生産を開始した。同製品の技術を持つEUV露光装置メーカーの蘭ASML...
先端半導体の生産に欠かせない「極端紫外線(EUV)露光」の周辺工程でも、日本の装置メーカーの存在感は大きい。 ... レーザーテックは、光源にEUVを使ったEUV露光...
極端紫外線(EUV)露光用レジスト原料の事業が成長し始めた。 ... ただ今の主流はあくまでフッ化アルゴン(ArF)露光用。次世代のEUV市場拡大を見...
■微細化追求 見極め重要 半導体回路の微細化で欠かせない「極端紫外線(EUV)露光」の周辺工程で、日本の装置メーカーの存在感が増している。... 従来EUV露...