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記事検索結果
121件中、3ページ目 41〜60件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.007秒)
電子が流れる「n型」半導体と正孔が流れる「p型」半導体の両方の合成に成功した。... それぞれ電子移動度は1ボルト秒当たり180―200平方センチメートル、正孔移動度は同50―80平方センチメートルと...
独自の高アイソレーション設計技術を用いたミキサー回路をインジウムリン高電子移動度トランジスタ(InP―HEMT)で実現。
東京工業大学物質理工学院の王洋研究員と道信剛志准教授らは、素子の性能指標となる高い電子移動度を持つ有機半導体高分子を作り、これを使って高性能な有機トランジスタを開発した。... ドイツ科学雑誌アドバン...
高電子移動度トランジスタ(HEMT)の発明で情報通信技術の発展に貢献した三村氏は「失敗があったからこそ有用な情報に気が付けた」とこれまでの研究について語った。
◇先端技術部門(対象分野はエレクトロニクス)=富士通研究所名誉フェローの三村髙志博士(72歳、日本)「高電子移動度トランジスタの発明とその開発による情報通信技術...
ゲルマニウム単結晶の薄膜化によって、半導体素子としての性能指標である電子移動度が2倍以上に高まる。... ナノメートル寸法の均一なゲルマニウム薄膜を絶縁膜で挟むと、ゲルマニウム薄膜中の電子移動度が向上...
電子移動度が高く、小さなトランジスタで大電流を流せる独自の酸化物半導体「OSFET」を駆動回路に採用。... 合わせて独自の有機EL材料を採用して色の表現度を向上し、色域規格である「BT.20...
【81平方センチメートルを実現】 東レはCNTで薄膜トランジスタ(TFT)を成形し、電子移動度が塗布型TFTとしては世界最速レベルの1ボルト秒当たり81平方センチメー...
三菱電機は12日、次世代移動通信システムに適用する、超広帯域の窒化ガリウム(GaN)製の増幅器を開発したと発表した。... 2017年度以降、出力電力や周波数が異なる、次世代移動通信シ...
GaNパワー半導体では、シリコン基板上に横型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)などを形成するデバイスは量産されている。 ... 素子の性能指標となる移動度...
理想的な単層CNTは、比重がアルミの半分で強度は鉄鋼の20倍、電子移動度はシリコンの約10倍。... 電子顕微鏡の技術開発は、半導体産業の興隆を下支えした。... 一方、半導体産業の発展を後押ししたの...
CNTを基板上で成長させる途中で800度Cの水素で還元する。... 軽量で放熱性の極めて高い材料や、低消費電力の電子回路用材料などへの用途展開が期待されている。 ... 電子移動度は...
「IGZOは従来のアモルファスシリコンに比べて電子移動度を10倍向上させ、ディスプレーを制御する薄膜トランジスタをより小型化できた。
トランジスタの電子供給層にインジウムを加え、回路設計を工夫するなどして従来比1・8倍に性能を高め、通信可能な距離を同約30%延ばした。... 今回、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(...
電子移動度はシリコンの約10倍で、流せる電流量は銅の1000倍、熱伝導性も銅の5倍以上だ。 ... CNTは用途が広く半導体産業のように寡占化されないとされるが、有望用途の電子部品は...
理想的な単層CNTは比重がアルミニウムの半分で強度は鉄鋼の20倍、電子移動度はシリコンの約10倍で、流せる電流量は銅の1000倍、熱伝導性も銅の5倍以上と画期的な性質を持つ。... 幅広い産業分野で知...
特に問題なのが、「電子の流れやすさを示す移動度と、稼働の信頼性」と清水達雄東芝研究開発センター電子デバイスラボラトリー研究主幹は説明する。現状では移動度が低く消費電力が大きくなってしまうほか、時間の経...
神戸製鋼所は薄型ディスプレーの薄膜トランジスタ(TFT)向けに、低温ポリシリコン(LTPS)と同等の電子移動度を持つ酸化物半導体材料を開発した。現在量産されている酸化物...
