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富士電機はインバーター動作時の電力損失を従来品比約10%低減した生産設備向けのパワー半導体「XシリーズIGBT―IPM=写真」を発売した。... 新製品は最新の第7世代IGBT(...
3次元の振動を吸収する独自の「Z―Move(ジィームーブ)」技術を、コネクター底部にIGBT端子を差し込むボトム嵌合構造で実現した。... IGBTはハイブリッド車(HV...
200キロ電子ボルトの高出力型を品ぞろえし、ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)に使われるIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)向けを狙う。...
初めて車載用IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)に参入しようとしていて、生みの苦しみがある。
高速スイッチング仕様の逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(RC―IGBT)がモーターの騒音抑制にも役立つ。
富士電機は第4世代直接水冷モジュールと、ダイオードと一体化したIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品で差別化する。
富士電機は大規模風力発電向けに、連続動作時の最高保証温度を従来比16・7%増の175度Cまで向上した1700ボルト耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュール&...
心臓部のトランジスタは高周波向けには炭化ケイ素(SiC)を、低周波向けには絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を搭載。
高周波であるメーンの110キロヘルツは、パワー半導体に使われる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の接合で素子破壊を起こしにくい。
これまで電気のスイッチングを担うIGBT素子と還流機能を持つダイオード素子をワイヤでつないで基板に組み込んでいたが、機能を集約した一つの素子を開発。... サンプル出荷を始めた産業機器用RC―IGBT...
併せて、最新世代のパワー半導体である第7世代絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の生産能力を、22年をめどに増やす。
【京都】ロームは産業機械や家電などの省エネ性能を高められる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT、写真)を開発し、量産を始めた。... IGBTは大電力を制御するパワー半導体の一つ...
N700系は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)素子を採用したが、発熱を抑え、高温でも動作できるSiC素子への変更を決めた。
近年は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などの利用が進むが、コストの面ではサイリスタが優位だ。
同社は高耐圧対応のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)で世界シェア3位と強く、自動車の電動化は当該事業の成長を支えよう。
