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2・7型の液晶タッチパネル、389万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載する。

画像センサー付きルームミラーは、ルームミラーの裏側に相補型金属酸化膜半導体(CMOS)カメラを付けた製品。

新たに開発した1220万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載し、暗い場所でも高画質な撮影が可能だ。

ルネサスエレクトロニクスは自動車電子制御ユニット向けパワー金属酸化膜半導体電解効果トランジスタ(MOSFET)7品種のサンプル出荷を始めた。

三菱電機は業務無線機の電力増幅器に利用する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を7月1日にサンプル出荷する。

8万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を搭載し、ステンレスチューブの先端にあるレンズからセンサーに画像を取り込む。

【生産能力を増強】 今春に電荷結合素子(CCD)パッケージや相補型金属酸化膜半導体(CMOS)パッケージの増産に乗り出した京セラ。

さらに金属酸化膜(MOS)半導体構造により、ゲート漏れ電流を防いだ。

大阪大学の小林光教授らは21日、シリコン表面の金属汚染を除去するとともに化学的な欠陥も併せて消滅させる洗浄技術を開発したと発表した。... 開発した技術では、洗浄液中のシアン化物イオンがシリコン表面の...

従来は外付けする金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOS―FET)や起動回路を内蔵。

MTJ素子は、電流で磁化の方向が反転しない強磁性層(ピン層)、絶縁膜、情報を記憶する強磁性層(フリー層)を積んだ構造を持つ。... 実際に、相補型金属酸化膜半導体...

東京工業大学の角嶋邦之助教と岩井洋教授は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタに使うゲート絶縁膜を薄くしつつ、漏れ電流の増加を抑える新しいプロセス技術を開発した。... 酸化...

III―V族化合物半導体と相性の良い酸化アルミニウムを埋め込み酸化膜層に採用、絶縁層を介して直接基板を張り合わせる技術を開発した。この技術でシリコン基板上にIII―V―OIを作り、基板上にn型金属酸化...

金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタでは微細化の進展に伴い、ランダムのバラつきが深刻化し、回路が正常に動作せず、歩留まりなどの性能が低下していた。

ナノワイヤートランジスタは、ゲート電極の下に形成するチャンネル部をナノ寸法の細いシリコン製ワイヤーで作った素子で、現行の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスが適用できるため量産に...

金属部品の微細深穴加工が増加し、内部検査などに使う工業用内視鏡の細径化ニーズが高まっていることに対応する。... 先端の直径が2・9ミリメートルの工業用内視鏡は16万画素の相補型金属酸化膜半導体...

トランスやコイルのほか、パワーMOS―FET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)や制御回路、保護回路を内蔵した。

現在はダイオードでの採用が多いが、ロームや三菱電機などのパワー半導体メーカーはこぞって金属酸化膜型電界効果トランジスタ(MOSFET)、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IG...

新開発の3分の1型金属酸化膜半導体(MOS)撮像素子とデジタルシグナルプロセッサーを搭載した。

現行のLSIが採用する相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで将来、安価に量産できる。... まずガリウム・ヒ素の基板上に、汎用的な有機金属気相成長法(MOCVD)...

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