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記事検索結果
906件中、41ページ目 801〜820件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.003秒)
スピン制御技術はスピン状態の初期化(古い情報の消去)、スピンの回転(新情報の書き込み)、スピン状態の検出(情報の読み出し)の三つがあり、従来方法ではその...
セル内で読み出し部と書き込み部を分けた2ポート構成を作り、高速化が難しい読み出し信号を増幅させ、ランダムアクセス時間で500メガヘルツの超高速動作を実証した。
サンプル出荷を始めるMRAMは「電流磁場データ書き込み方式」技術を採用したもの。... 電流磁場データ書き込み方式に加えて、データ書き込みのバラツキ抑制と消費電力抑制を図れる「スピン注入磁化反転書き込...
エルピーダメモリは中国江蘇省蘇州市で行うDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)の合弁生産計画を修正する方針を明らかにした。
ソフィアシステムズ(川崎市麻生区、原島克美社長、044・989・7000)は20日、プログラムの検査やフラッシュメモリーへの書き込みを行うマイコン開発ツール「イージェイ・スキャット」を...
高速・並列データ転送や書き込み領域の均等化など多値技術に対応したコントローラーを搭載し、データ転送速度を読み出し秒速120メガバイト(メガは100万)、書き込み秒速70メガバイトに高速...
エルピーダメモリは08年中に、普及型(ローエンドモデル)携帯電話端末向けのDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)を投入する。... 中国やインドな...
(尾本憲由) 【半導体】 北米の景気減速からデジタル家電やパソコンなどの販売台数が落ち込むと、内蔵されるマイクロプロセッサーやDRAM(記憶保持動作が必要な随時...
