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日本エレクトロセンサリデバイス(大阪市西区、力身(りきみ)総一郎社長、06・6534・5300)は、独自開発のエリア相補型金属酸化膜半導体(CMOS)セ...

さらに動作抵抗が0・1オームと低い金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)で低損失を実現、放熱部品を不要としたことなどで小型化した。

ルネサステクノロジは14日、二つのパワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を一つのパッケージに収めた「RJK0383DPA=写真」を製品化したと発表した。

画面サイズ36ミリ×23・9ミリメートルの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載。

金属酸化膜半導体(MOS)センサーの搭載で受光部の面積を拡大し、上映中の映画館のような暗さでも撮影できる。

65ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで試作した回路では、処理量が増えた時に低下する電源電圧の値が約40%改善した。&...

東芝やソニーなど半導体製造の民間11社が出資する半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS...

開発技術は、LSI内の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を構成するn型、p型のトランジスタとメモリー用トランジスタのゲート電極に共通の新金属材料を使う。 絶縁膜は従来材料のシリ...

東芝と米IBMは共同で、次世代LSIに適用を目指す、補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタの新しい基板を開発した。... 開発した基板は、結晶面が(100)のシリ...

相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタ全体の抵抗値を30%程度減らせる見込み。... 東芝はこれまで、従来の電極材料であるニッケルシリサイドにイットリウムなどの異なる金...

カシオ計算機 手のひらになじむ曲線形状で持ちやすく、操作しやすいハンディターミナルの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージャー搭載モデル「DT―X7 M52S」を9...

東芝は19日、45ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)ロジックに適用する、新しい設計モデルを開発したと発表した。

NECエレクトロニクスは先端LSIの40ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセス向けに、トランジスタ特性のバラつきを低減する技術を開...

相補型金属酸化膜半導体(CMOS)のゲート電極には金属材料と高誘電率の絶縁膜を使う。

デジタルカメラの代表的な撮像素子(イメージセンサー)である電荷結合素子(CCD)と相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを中心にカメラ技術について、...

ソニーは11日、シリコン基板の裏側から光を照射する構造にした相補型金属酸化膜撮像素子(CMOSイメージセンサー)を試作したと発表した。

ルネサステクノロジはハンディ無線機などの送信電力増幅用に、高周波パワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)「RQA0010」と「RQA0014」を製品化した。

バイポーラや相補型金属酸化膜半導体(CMOS)などの特徴を一つに集約したBCDプロセス技術を最大で32個同時測定できる。

産業用途で高耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を欧州で、スイッチ機能を持つ金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を東南アジアで拡販する。

京都大学の木本恒暢教授、須田淳准教授、登尾正人研究員らは、炭化シリコン(SiC)横型の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製した。

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