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半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、極端紫外線(EUV)露光技術で、2013年以降の回路線幅22ナノメートル...
半導体製造装置に用い、ハーフピッチ22ナノメートルを可能とする極端紫外線(EUV)露光装置用マスクブランクスの商業化を加速化させ、2013年ころの実用化を目指す。両社で欠陥のないEUV...
欧州研究開発共同体(コンソーシアム)のIMECは、「極端紫外線(EUV)露光装置」による回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の半導体の量産...
次世代半導体の加工技術とされる極端紫外線(EUV)露光用のレジストの開発を進める。「2011年にも登場する回路線幅32ナノメートル世代にはEUV露光が欠かせない」とにらむ。
【神戸】兵庫県立大学高度産業科学技術研究所(兵庫県上郡町)は11月をめどに、同研究所付属の放射光施設「ニュースバル」(同)に極端紫外線(EUV)露光のレ...
