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記事検索結果
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統合初年度の黒字化を目指しており、リストラに遅れは許されない。... フッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)ドライ露光装置の性能を引き出したことで、最先端のArF液浸露光装置を追加し...
JSRは25日、2009年春に四日市工場(三重県四日市市)内に完成した先端リソグラフィー材料の新工場を稼働し、フッ化アルゴンレジストの出荷を始めたと発表した。製造設備を完全にクリーンル...
ニコンは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の半導体製造プロセスに採用するフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置の新機種「S620」の出荷を...
露光装置は回路線幅を微細化するためのカギ。EUV装置に経営資源を集中するASMLに対し、ニコンはフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置の改良機に注力する。... フォトマ...
主力のフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置と同じく、EUVにも相当額の経営資源を投下する。... ただ今後も微細化が進むのは確実で、EUV市場は間違いなく形成される。....
微細化技術でリードを保ち、シェア首位の韓国サムスン電子に対抗する。 ... 微細化の鍵を握る露光装置はフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置で最先端の2回露光&#...
当面、フッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置の新型機種「S620」の改良に経営資源を集中する。 ニコンは10年に生産が本格化する回路線幅32ナノメートル(...
50ナノや40ナノ台DRAMを生産するには、1台当たり40億―50億円のフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置を必要とするが、65ナノXSではそれよりも安い露光装置で対応...
JSRは29日、次世代半導体製造プロセスであるダブルパターニング向けに、1回目に形成したパターンを保護する工程を簡略化できるフォトレジストを開発したと発表した。... 一方、新開発の「自己架橋型高性能...
東京エレクトロンは合志事業所(熊本県合志市)に、オランダのASML製ArF(フッ化アルゴンエキシマレーザー)液浸露光装置を今秋導入する。... 露光工程は半導体微細化の...
微細化要求が高まる半導体回路。... (藤木信穂) 【業界標準材料に】 開発したフッ化アルゴン(ArF)レジストは波長193ナノメートル(ナノは...
しかし、半導体回路を32ナノメートルから22ナノメートルに1世代微細化すると半導体製造装置の構造が一変するため、実用化までのハードルは高い。 ... 半導体は回路を1世代微細化するとチップを小...
回路が微細化すると、同じチップ寸法の中に倍近いトランジスタを集積できるため、その分、高性能化が図れる。... 露光光源は波長436ナノメートルの可視光線「g線」から同365ナノメートルの紫外線「i線」...
半導体業界では2010年ごろに、40ナノメートル世代から一世代進んだ同30ナノメートル台の次世代プロセスの実用化を見込んでいる。 ... ダブルパターニングは1台当たりの装置費用が高価なフッ化...
露光装置業界の標準的な技術開発計画(ロードマップ)では同32ナノメートルの半導体製造までダブルパターニング技術を用いて、2013年に実用化を予定する同22ナノメートル半導体には極端紫外...
フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー光源の液浸露光装置の引き合いが強い」 ―先端分野に限っては、受注が期待できると言うことでしょうか。 ... 一方で、ArFドライ...
