- トップ
- 検索結果
記事検索結果
216件中、7ページ目 121〜140件を表示しています。 (検索にかかった時間:0.002秒)
半導体の微細化にも対応するため、ArF液浸の効率を一段と引き上げ「450ミリメートルでも現行の300ミリメートルと同等のスループット(処理能力)を実現する」(牛田氏)と...
現在の先端露光装置は光源に「ArF」と呼ばれるレーザー光を用いながら、レンズと半導体ウエハーの間に水をはさんで回路を微細化する「液浸」を主流にする。... そのため、ASMLは現行で先端を行くArFよ...
1台数十億円の「ArF液浸」と呼ばれる先端露光装置は前年度の18台から20台に増える。同じく付加価値の高い「ArF」も3台から10台に引き上げる。
ニコンは「ArF液浸」と呼ばれる先端半導体の回路形成用の露光装置で、時間当たり処理性能と精度を向上した新機種を1月に投入。... ArF液浸の製造を手がけるのはASMLとニコンの2社。... ArF液...
半導体は極端紫外線(EUV)露光などの次世代技術関連の研究も行うが、短期ではプラスアルファの技術でのフッ化アルゴン(ArF)露光の延命に対応することがポイントだ」...
既存のフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にする装置で回路線幅の微細化を進めながら、EUVの量産適用を模索する。 ... EUVは波長13・5ナノメートル(ナ...
腫瘍抑制因子(p19Arf)の働きを抑えた上でGata4、Hnf1α、Foxa3という3種類の遺伝子をレンチウイルスを使って導入、2―3週間後に肝細胞に似た細胞が得られた。
JSRは2日、半導体製造工程で、1回のフッ化アルゴン(ArF)光源露光で回路線幅(ハーフピッチ)20ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細加工を行...
【大河内記念生産特賞】▽三菱電機(高密度ビルドアップ配線板加工用高速マイクロ穴あけレーザ加工機の開発と実用化) 【大河内記念技術賞】▽富士通セミコンダクター、富士通研究所...
半導体製造で現在主流であるフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にした液浸リソグラフィー技術を適用するため、半導体メーカーは大規模な設備投資をせずに集積度を高めたLSIの生産が...
EUVは波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)で、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にするのが現在主流の露光装置の10分の1以下。... ニコンは経...
これを実現する露光技術がEUVで、現在主流になっているフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源とする先端露光装置を置き換えていくと見られている。... ArF向けレジストの販売拡...
新たに市場投入したフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源に用いる露光技術に対応するペリクルの供給体制を整えるのが目的。... ArF露光対応ペリクルの販売では三井化学や信越化学...
【材料分野】武知敏富士通セミコンダクター知的財産本部標準推進部プロジェクト課長、野崎耕司富士通研究所基盤技術研究所主管研究員「ArFエキシマレーザリソグラフィ用新規レジスト材料の開発と実用化」 ...
最先端の露光装置ではニコンとASMLの実質2社の争いが続くが、ニコンは1台数十億円と言われるArF液浸と呼ばれる露光装置でのシェアは2割程度。... 課題だった時間あたりのウエハー処理能力を32ナノメ...
EUVは光の波長が13・5ナノメートルで現在主流のArFの10分の1以下。... ニコンはArF液浸に開発資源を集中し、既存技術の改良を重ねる方針を決定していた。... ニコンは回路線幅20ナノメート...
主な日程は、ハノイで23日にASEAN10カ国に日、中、韓を交えた「ASEAN+3外相会議」、ASEANに日、中、韓、インド、豪州、ニュージーランドを交えた東アジア首脳会議(EAS...