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東芝は、送信用のレーザー光源とインジウム・ガリウム・ヒ素製の受光素子、光信号を通す微細なシリコン製導波路を、1チップに集積した。

同セルは最下層にインジウムガリウムヒ素(InGaAs)を採用したのが特徴。

DVD用のレーザーや発光ダイオード(LED)に使う1枚2万円程度のガリウムヒ素基板から、1万個以上のチップを製造する。... 531ナノメートルの純緑色レーザーを窒化ガリウム結晶から直...

窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った送信用と受信用の増幅器で、世界最高性能を達成した。従来のガリウムヒ素製のHEMTに比べ、通信可能な距離を約3倍の10キロメー...

演算素子は、ガリウムヒ素にアルミニウムカリウムヒ素を積層した半導体加工の微細構造。

産業技術総合研究所と東北大学電気通信研究所は21日、ガリウムヒ素を使った半導体の人工分子(二重量子ドット)に閉じ込めた2電子スピンの量子力学的な重ね合わせ状態を、電気的に測定する手法&...

品目別では、主に携帯電話の高周波アンプや赤色発光ダイオード(LED)向けのガリウム・ヒ素が同28・7%減の276億円、緑色LEDなどに使われるガリウム・リンが同35・7%...

宇宙航空研究開発機構(JAXA)と新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)はNTT、半導体材料メーカーのフルウチ化学(東京都品川区)と世界で初めて...

開発した増幅器は富士通が保有する特許である「n型窒化ガリウム技術」を使って、トランジスタのゲート長を0・25マイクロメートルに微細化し、ゲートとドレイン間の距離を最適化したトランジスタを開発して実現し...

化合物半導体のインジウム・ヒ素で直径約20ナノメートル、高さ5ナノメートルの量子ドットを作製し、バンドを形成する窒化ガリウムヒ素の中間層に埋め込んだ。 ... 銅、インジウム、ガリウム、セレン...

三菱電機は25日、ミリ波通信の送受信器に必要な半導体回路をすべて組み込んだガリウムヒ素製のチップセットを開発したと発表した。

素材にガリウム・ヒ素を採用している。

開発したVCSELは発光層にインジウムガリウムヒ素を採用したほか、積層制御技術により半導体内で共振する光の損失を抑えることで高い変換効率を実現した。

携帯電話の部品やDVDのピックアップなどに使うガリウム・ヒ素が05年以来となる減少に転じたのが響いた。... 発光ダイオード(LED)向けガリウム・リンは減少傾向に歯止めがかからず大幅...

ガリウムヒ素製のトランジスタを使う従来の増幅器に比べ6倍以上の出力で、電波の届く距離が約2・4倍伸びる。... 今回、ガリウムヒ素より高出力で放熱性に優れる窒化ガリウムを使い、増幅器の回路構成を改良し...

約200ナノメートル(ナノは10億分の1)の薄いガリウム・ヒ素半導体の膜を交互に重ね、1・5マイクロメートル通信波長帯で発光する量子ドットを埋めた膜を間に一枚挟む。量子ドット発光体の材...

研究では磁石でもあり半導体でもある強磁性半導体「ヒ化ガリウムマンガン」の薄膜をガリウムヒ素基板上に作り、その上に高比誘電率を持つ絶縁膜金属膜ゲート電極を積層。

すでにガリウムヒ素半導体を用いたシステムで性能を確認しており、今後半導体をシリコンに変えることで低価格化を実現する。

樽茶教授らは、集積化に適したガリウムヒ素化合物半導体で量子ドットを形成。

半導体材料をガリウムヒ素(GaAs)系から窒化物系材料に変更し、光吸収の波長帯をずらすことによって、現在動作が不可能である4テラ―10テラヘルツのテラヘルツ量子カスケードレーザーの実現...

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