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凸版、米IBMと22ナノ半導体フォトマスクを開発（2008/6/23）

フッ化アルゴン(ArF)液浸リソグラフィーを採用する。

装置が支える半導体・液晶(5)露光2回「凍結法」で解決（2008/6/16）

半導体チップ上に形成する回路の線幅は、45ナノメートル(ナノは10億分の1)が現状で最も微細化された先端プロセスとなっている。... 45ナノメートルプロセスで用いたフッ化アルゴン&#...

東芝、09年度に30ナノ量産−20ナノは試験出荷（2008/6/6）

製造でポイントとなる露光工程は、同30ナノメートルプロセス品では解像度を向上するため、ArF(フッ化アルゴン)液浸露光装置を用いる。... 東芝はNANDフラッシュの回路線幅を70ナノ...

装置が支える半導体・液晶(4)32ナノ、解像度向上が課題（2008/6/2）

同じチップ寸法で集積度が上がればその分、高速化、低消費電力化が図れる。... このうち微細化を進める先端プロセス開発では、前工程の中で回路パターンを焼き付ける「露光」がカギを握る。... 露光光源の短...

装置が支える半導体・液晶(3)先端向けArF液浸伸びる（2008/5/19）

だが、ニコンで精機カンパニープレジデントを務める牛田一雄専務執行役員は「回路を微細化した先端プロセスでは戦略的な投資が続く」とし、回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の先...

分析・半導体市場(14)キヤノン専務・市川潤二氏（2008/3/24）

「光源波長365ナノメートル(ナノは10億分の1)のi線を用いた露光装置は、同193ナノメートルのフッ化アルゴン(ArF)露光装置を市場投入していなかったこともあり、0...

露光装置は今後、台数が減る一方、1台の価格が高いため金額が増える」 ―付加価値の高いフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置の受注見通しについては。 ... 「2010年の...

JSR、40億円投じ四日市工場にArF材の新製造棟（2008/2/13）

先端半導体材料であるArF(フッ化アルゴン)光源用液浸露光材料の需要が拡大しているため、設備投資が必要と判断した。

ウエハー大口径化と回路微細化を同時に進めると、設備稼働率の向上が問われる。 ... 45ナノメートルプロセスの露光光源に採用したフッ化アルゴン(ArF)の波長は193ナノメート...

化学業界トップに聞く(5)JSR社長・吉田淑則氏ほか（2008/1/10）

原料・ナフサ価格が急上昇し、この価格転嫁が遅れて石化事業の上期は営業減益となったが、多角化事業の半導体材料が予想以上に好調なこともあり、石化のマイナスを補えそうだ。... そう見て、事業を運営していく...

東芝、来年度半導体に3500億円投資−「第5工場」四日市が有力（2008/1/1）

このため、回路をウエハーに焼き付ける露光工程に1台40億円するフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を複数台導入。