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記事検索結果
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誘電率が高く絶縁性のあるフィルムの開発を進めていたが、温度や湿度によって膜の物性が変化する点などが電子部品に適さず、コンデンサー向けは断念した。
窒素極性で窒化ガリウム結晶の品質を向上したことに加え、高濃度n型ドープ窒化ガリウムを採用したほか、ハフニウム系のゲート絶縁膜の形成技術を組み合わせた。 ... 今後は実用化を目指し、...
IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)だけでなく、モーターやインバーター、ギアを一体化したEV駆動装置「イーアクスル」などの検査も想定し、対象物の大きさ別に3タイプを展開する。...
他社と留分の融通や(子会社の)PSジャパンが持つケミカルリサイクル技術の実証などもあり、連携を通じてベストな技術の活用や開発などに取り組んでいく」 【記者の目...
大電流・高電圧に強いパワー半導体のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)では14%に達する。
1959年、ブラウン管テレビ向け絶縁部品「U字ケルシマ」の開発製造から始まった同社の歴史は、創業者の故稲盛和夫氏が指揮する多角化戦略によって大きく広がった。
すでに、半導体製造分野では食品メーカーが生産する高性能絶縁材が欠かせない部品となっている。
ミネベアミツミは買収を通じ、電気自動車(EV)向けに需要が増加しているIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の強化を図る。
実験は透明な酸化インジウムスズ(ITO)電極と電極表面を絶縁体で覆って行った。実用化する際には金属表面を絶縁コーティングすることで再現できるという。
また、ナノサイズの構造により顕在化する「量子効果」を生かした材料としては、グラフェンやカーボンナノチューブなどの低次元材料、トポロジカル絶縁体、量子スピン液体など、次々と新奇なものが発見されてきている...
これによって絶縁破壊後の電気伝導パスに加え、絶縁破壊直前のリーク電流の増加領域を表し、キャパシタ内の広い範囲で抵抗が変化していることを解明した。 二酸化ハフニウム系強誘電体は保持電界...
【岐阜】アイ・ティー・ケー(岐阜県羽島市、岩田真太郎社長)は、小型複合加工機の直径0・1ミリ―3ミリメートルの回転工具の主軸用に探針(プローブ)シス...
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を中心とするパワー半導体に関しては「短期的には少し落ちる」(柴田英利社長)と想定。
IEGT素子(電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ)を適用したインバーターで投入電力を安定化し、電力系統に影響する電圧変動を抑える。
「大型トランスの絶縁油が発火して火災が拡大する事故があり、側溝を経由して(絶縁油が)排水口から河川に流出、魚が浮く被害が発生」という環境汚染も経済産業省から紹介されている。 &...
耐火セメントなどでコイルの内外を覆うキャスティングは「断熱と絶縁、二つの性質を両立するのが難しい」(内野社長)が、加熱性能を左右する重要な要素という。