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記事検索結果
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50ナノや40ナノ台DRAMを生産するには、1台当たり40億―50億円のフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置を必要とするが、65ナノXSではそれよりも安い露光装置で対応...
一方、新開発の「自己架橋型高性能ArF(フッ化アルゴン)フォトレジスト」は加熱処理で硬化するため、こうした保護材が必要ない。... またArFレーザーを使った従来の液浸露光技術に対応す...
東京エレクトロンは合志事業所(熊本県合志市)に、オランダのASML製ArF(フッ化アルゴンエキシマレーザー)液浸露光装置を今秋導入する。... ArF液浸露光装置の価格...
【優秀賞】▽リソグラフィー用ArFレーザー=ギガフォトン(装置・システム部門)▽10Gbit光通信用半導体レーザー=日立製作所(コンポーネント・デバイス部門&#...
(藤木信穂) 【業界標準材料に】 開発したフッ化アルゴン(ArF)レジストは波長193ナノメートル(ナノは10億分の1)のArFエキシマ...
エルピーダは、広島工場にASMLのArF液浸露光装置を1台導入した。... エルピーダは当初、ASMLとキヤノンからArF液浸露光装置の提供を受けて技術評価を実施していた。... ArF液浸露光装置は...
【大河内記念生産特賞】▽超々臨界圧石炭火力発電を実現させたステンレスボイラーチューブの開発(住友金属工業) 【大河内記念技術賞】▽世界初有機ELテレビの開発と量産化(占...
回路線幅が90ナノメートル、65ナノメートルと微細化するに連れて、同193ナノメートルの「フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー」が用いられている。 ... 回路線幅45ナノ...
ダブルパターニングは1台当たりの装置費用が高価なフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を用いるため、生産性などの点から、半導体メーカーでは投資対効果の見極めが求められていた。
フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー光源の液浸露光装置の引き合いが強い」 ―先端分野に限っては、受注が期待できると言うことでしょうか。 「先端・次世代半導体製造用の...
ニコンは09年10―12月期に回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)世代半導体製造用にフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を投入する計画。... オランダのAS...
32ナノメートルまでは現行のフッ化アルゴン(ArF)液浸露光で回路形成できるが、その先の20ナノメートル台では露光技術を抜本的に変えなければ対応できない。
2011年に実用化が見込まれる同20ナノメートル台の次々世代半導体は、現在最先端のフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置では回路形成できない。
3社ともに開発リスク軽減と費用抑制を狙い、45ナノメートルの先端半導体に用いたフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置の現行プラットフォーム(基本構造)を踏襲する。
半導体メーカーは、チップ上の回路線幅に40ナノメートル(ナノは10億分の1)台以降のプロセスを採用した先端半導体製造用として、フッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を導入...
