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記事検索結果
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名古屋大学の未来材料・システム研究所の天野浩教授らは、窒化ガリウム(GaN)のパワーデバイスを使用した車載トラクションインバーターを開発。... GaNインバーター搭載のコンセプトカー...
30年の炭化ケイ素(SiC)系は同10.8倍の4230億円、窒化ガリウム(GaN)系が同60.3倍の1085億円と大幅に伸びる予測を立てた。 &...
試料に光を当てるだけで、2億2000万個に1個の割合で炭素を含む高純度のGaN結晶から炭素を測定できることを実証した。... GaNを利用したデバイスの性能を下げる要因として炭素の混入が挙げられ高感度...
GaN HEMTが破壊されない低温(約650度C)において、GaN HEMTの表面に放熱性の高いダイヤモンド膜を形成する技術を開発し、動作時の発熱量を40%低減...
日本ガイシは3日、窒化ガリウム(GaN)ウエハー製品「FGAN」において、導電性のパワーデバイス用6インチタイプ(写真左)と高抵抗の高周波デバイス用4インチタイプ...
国土強靭(きょうじん)化と温暖化対応では、将来の技術革新を支える新素材として次世代半導体材料の窒化ガリウム(GaN)や、樹木を原料とする繊維状素材「セルロースナノファイ...
住化、化合物半導体材料 住友化学は、子会社のサイオクス(日立市)で窒化ガリウム(GaN)エピタキシャルウエハーの生産能力を2017年比で3倍に引き上げ...
大陽日酸は三塩化ガリウム―アンモニア反応系を用いたトリハライド気相成長法(THVPE法)を活用し、高速、高品質で連続成長が可能な窒化ガリウム(GaN)結晶製造装置を開発...
GaNインバーター搭載のコンセプトカー「All GaNビークル」を24日開幕の「第46回東京モーターショー」で展示する。 ... GaNは薄い膜で高い電圧をかけられることが特...
硬い微粒子を使うことで、第5世代通信(5G)基地局向け窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)ウエハーの研磨にも対応できる。
三菱電機はワイヤ放電加工機の技術を応用し、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの半導体材料を薄く切断する装置を開発した。... 一般的な材料のシリコンはダイ...
窒化ガリウム(GaN)パワー半導体や白、青色発光ダイオード(LED)を製造する有機金属化学気相成長(MOCVD)装置で使う治具を洗浄する。... GaN...
三菱電機は2日、産業技術総合研究所と共同で単結晶ダイヤモンド放熱基板を使ったマルチセル構造の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(GaN―HEMT)を世界で初めて開発したと発表した...
今後は技術革新とともに炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など次世代材料の採用も徐々に増えそうだ。 &...
信頼性を高め、厳しい環境で耐久性が求められる炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といったパワー半導体への使用につなげる。
複合ウエハー、微小圧電素子、チップ型電池や窒化ガリウム(GaN)ウエハーなどの新事業が本格化する。
近年は超小型二次電池「エナセラ」や独自製法の窒化ガリウム(GaN)ウエハー「FGAN」、紫外発光ダイオード(LED)用マイクロレンズなどを矢継ぎ早に事業化した。 ...
