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記事検索結果
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【高品位化に貢献】 窒化ガリウム(GaN)トランジスタは、従来のシリコン製のトランジスタに比べて省電力で動作し、かつ高い電圧に耐えられる特性を持つ。... これらの応...
【スマホ向け増】 化合物半導体材料は、窒化ガリウム(GaN)エピタキシャルウエハーが5G基地局用の高周波デバイス向けに、ガリウムヒ素(GaAs)エピウ...
「窒化ガリウム(GaN)ウエハーの『FGAN』はパワー半導体用途は名古屋大学と共同研究中で事業化はもう少し先。
基板からマイクロLEDディスプレーへ、窒化ガリウム(GaN)などのマイクロLED素子を短時間で移し替えることができる。
大陽日酸は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーデバイス向けに、銅ナノ粒子を用いたシート状の接合材を開発した。... SiCやGaNなどのデバイス材料...
電気の力で伸縮する独自のゴム素材『eラバー』や窒化ガリウム(GaN)パワー半導体といった新規事業で売上高の1割を確保する」 ―欧州事業の黒字化の時期は。 &#...
信越化学工業は窒化ガリウム(GaN)基板と関連製品の開発を本格化した。米Qromis(カリフォルニア州)との間で、GaN基板関連に関するライセンス契約を結んだ。... ...
名古屋大学の未来材料・システム研究所の天野浩教授らは、窒化ガリウム(GaN)のパワーデバイスを使用した車載トラクションインバーターを開発。... GaNインバーター搭載のコンセプトカー...
30年の炭化ケイ素(SiC)系は同10.8倍の4230億円、窒化ガリウム(GaN)系が同60.3倍の1085億円と大幅に伸びる予測を立てた。 &...
試料に光を当てるだけで、2億2000万個に1個の割合で炭素を含む高純度のGaN結晶から炭素を測定できることを実証した。... GaNを利用したデバイスの性能を下げる要因として炭素の混入が挙げられ高感度...
GaN HEMTが破壊されない低温(約650度C)において、GaN HEMTの表面に放熱性の高いダイヤモンド膜を形成する技術を開発し、動作時の発熱量を40%低減...
日本ガイシは3日、窒化ガリウム(GaN)ウエハー製品「FGAN」において、導電性のパワーデバイス用6インチタイプ(写真左)と高抵抗の高周波デバイス用4インチタイプ...
国土強靭(きょうじん)化と温暖化対応では、将来の技術革新を支える新素材として次世代半導体材料の窒化ガリウム(GaN)や、樹木を原料とする繊維状素材「セルロースナノファイ...
住化、化合物半導体材料 住友化学は、子会社のサイオクス(日立市)で窒化ガリウム(GaN)エピタキシャルウエハーの生産能力を2017年比で3倍に引き上げ...
大陽日酸は三塩化ガリウム―アンモニア反応系を用いたトリハライド気相成長法(THVPE法)を活用し、高速、高品質で連続成長が可能な窒化ガリウム(GaN)結晶製造装置を開発...
GaNインバーター搭載のコンセプトカー「All GaNビークル」を24日開幕の「第46回東京モーターショー」で展示する。 ... GaNは薄い膜で高い電圧をかけられることが特...
硬い微粒子を使うことで、第5世代通信(5G)基地局向け窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)ウエハーの研磨にも対応できる。
三菱電機はワイヤ放電加工機の技術を応用し、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの半導体材料を薄く切断する装置を開発した。... 一般的な材料のシリコンはダイ...
