ダイヤモンドパワー半導体は現在主流のシリコンに比べ、高温・高電圧でも稼働し、次世代パワー半導体材料として期待される炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも性能...

パワーデバイス向けでのGaN基板にGaN層をエピタキシャル成長させた構造である、GaNオンGaNウエハーの大口径化に取り組む。... GaN基板ではGaN結晶の長尺化や品質向上などを狙い、GaN成長層...

デルタ電子(東京都港区、華健豪社長)は、ロームの窒化ガリウム(GaN)デバイスを搭載し、最大出力100ワットの給電が可能な急速充電器を12月に発売す...

半導体業界における活用事例として、窒化ガリウム(GaN)結晶成長の最適化を取り上げる。 GaN半導体は新素材パワー半導体として注目されている分野でである。... Ga...

東ソーはシリコン基板に窒化ガリウム(GaN)を成膜するスパッタリングターゲット材の生産設備を山形県の工場に設け、生産を開始した。... 従来の化学気相成長法(...

省エネに寄与する素材では、住友化学が開発する半導体向け窒化ガリウム(GaN)基板もその一つだ。GaN基板にGaNエピタキシャル層を形成するGaNオンGaNエピウエハーなどを通じ、生成人...

そう話す名古屋大学の須田淳教授は、窒化ガリウム(GaN)製の縦型パワー半導体を開発中だ。 ... 特にノーベル賞も生んだGaN半導体は、電力損失が少なく、高電圧に耐え...

【研究開発助成/奨励研究助成 若手研究者(塑性加工)】▽篠原百合/電気通信大学機械知能システム学専攻「塑性変形が形状記憶合金のマルテンサイト変態挙動に及ぼす...

新シリーズは、炭化ケイ素(SiC)ウエハーや窒化ガリウム(GaN)ウエハーに対応する。

GaNパワー半導体はスイッチング速度の速さが強み。... SiMOSFETを使わず、GaN単体で高速スイッチングを実現し小型化する。 ... ノーマリーオフ型GaNデバイスを搭載する...

既存のシリコン向けの300ミリメートルパイロットラインを、GaN向けに転用して実施。シリコンウエハー上に均質なGaN層をエピタキシャル成長させて実現した。今後、需要に応じてGaNの製造能力拡充も検討す...

半導体材料として要求される物性値は、シリコン(Si)のみならず炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)をも上回り、しばしば究極の半導体と称される。

高品質な厚膜GaNエピタキシャル成長を実現する。... これを解決するGaN対応の基板は、従来のシリコン(Si)と同じ生産ラインを使えるため、コスト低減効果も期待できる。... QST...

今後もGaN(窒化ガリウム)対応製品など追加する。

SiC・GaNに対応 日本エクシード(茨城県常総市、大橋陽介社長)は、各種ウエハーの精密研磨を手がける。... 技術開発に注力し、より厚みに差のないウエハーの平たん化...

会場ではSiC・GaNモジュールやSMT32マイコンなど、電力変換から、蓄電、充電、利用まで再生エネ活用をワンストップで実現する幅広い製品群を紹介した。 ...

AlNは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)に比べて電力損失が少ないなどの特徴があり、パワー半導体向けなどでの需要を想定する。

三菱電機は4日、第5世代通信(5G)向けに多数のアンテナ素子を用いる「massive MIMO(マッシブマイモ)」基地局用の窒化ガリウム&#...

高品質で大口径のGaN基板を安定して製造できる体制を確立する。... 同社と大阪大学は、ナトリウムとガリウムを混合した金属溶液に高圧で窒素を注入しGaNを合成する「Naフラックス法」を活用し、大型Ga...

名古屋大学のダシヤン・アルン・クマール特任講師と石川健治教授、堀勝特任教授らは、窒化ガリウム(GaN)の低温成長法を開発した。... 基板上でガリウムなどの有機金属と反応し、GaNの結...