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東大、ＳｉＣ由来の界面欠陥減少−パワーデバイスの高性能化に道
(2014/8/1 05:00)
東京大学大学院工学系研究科の喜多浩之准教授らは、次世代のパワーデバイス材料である炭化水素（ＳｉＣ）の...
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(2014/8/1 05:00)
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