オン・セミコンダクターのNCP51820高速 GaNゲートドライバ、中国の2019年パワープロダクト・トップ10に選出

業界初のGaNパワースイッチ向け 650V高速ハーフブリッジ・ゲートドライバとして認知される



高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター（本社　米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）は、同社の高速ゲートドライバ「NCP51820」が、中国メディアの21ic.comが主催する「2019Top-10Power Product Award」（2019年パワープロダクト・トップ10アワード）を受賞したと発表しました。この年に1度の表彰制度は、中国において先進技術を有するパワー製品10品目を選定するもので、業界のベンチマークとして認知されています。

オン・セミコンダクターのNCP51820は、技術的に先進的なソリューションであり、オフラインのハーフブリッジ電源トポロジでエンハンスメントモードGaNデバイスを駆動するという厳しい要件を満たすように、特別に設計されています。

NCP51820は、GaN用に最適化された安定化ゲート駆動出力電圧、およびEMIノイズチューニング用の独立したソースピンとシンクピンなど、多くのユニークな機能を提供します。ドライバは、伝搬遅延時間が25ns未満と小さく、その高度なレベルシフト技術により、ハイサイド駆動用で -3.5V～＋650V（平均代表値）、ローサイド駆動用で -3.5V～＋3.5Vのコモンモード電圧範囲を可能にします。さらに、本デバイスは、両ドライバ出力段に対して最大200V/nの安定したdV/dt動作をサポートし、高速スイッチングアプリケーションで堅牢な性能を確保します。

GaN技術は、より高い電力密度でより低いスイッチング損失を実現する可能性がありますが、これらの利点を現実のものにするためには、堅牢な保護機能を備えたGaN用に最適化されたゲート駆動回路を使用する必要があります。過大な電圧ストレスからGaNパワートランジスタのゲートを完全に保護するために、NCP51820の両駆動ステージは専用の電圧レギュレータを使用して、ゲート～ソース間の駆動信号振幅を正確に維持します。オン・セミコンダクターのNCP51820は、独立した低電圧ロックアウト（UVLO）、VDDピンバイアス電圧とVDDHおよびVDDLドライババイアスの監視、およびデバイスのダイ接合部温度に基づくサーマルシャットダウンなどの重要な保護機能を提供します。

オン・セミコンダクターで、マーケティング＆アプリケーション担当ディレクターを務めるライアン・ザーン（Ryan Zahn）は、この賞について次のように述べています。 「21ic.comの審査委員会に、NCP51820の先進的でユニークな特長を評価していただいたことを大変誇りに思います。エネルギーコストの上昇と利用できるスペースが限られていることを考えると、より小型で効率的な電力ソリューションの需要は増え続けています。当社のNCP51820は、従来の絶縁型ハーフブリッジ・ゲートドライバの限界を打ち破り、最適化されたGaNゲートドライバを統合して、最もシンプルで最もコスト効率の高いGaNベースのソリューションを実現します」

オン・セミコンダクターについて
オン・セミコンダクター（Nasdaq: ON）は、お客様にグローバルな省エネルギーを実現していただけるよう、高効率エネルギーへのイノベーションをリードしてまいります。オン・セミコンダクターは半導体をベースにしたソリューションのリーディング・サプライヤーで、エネルギー効率の高い、電力管理、アナログ、センサ、ロジック、タイミング、コネクティビティ、ディスクリート、SoCおよびカスタム・デバイスの包括的なポートフォリオを提供しています。オン・セミコンダクターの製品は、自動車、通信、コンピューティング、民生機器、産業用機器、医療機器、航空宇宙、防衛のアプリケーションにおける特有な設計上の課題を解決します。オン・セミコンダクターは、北米、ヨーロッパ、およびアジア太平洋地域の主要市場で、製造工場、営業所、デザイン・センターのネットワークを運営しています。迅速な対応、信頼性、世界クラスのサプライチェーンと品質保証プログラム、厳格な企業倫理とコンプライアンスを備え、お客様のご要望にお応えしていきます。詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。

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情報提供元：PRTIMES
本リリースの掲載元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000073.000035474.html