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記事検索結果
451件中、17ページ目 321〜340件を表示しています。 (検索にかかった時間:0.012秒)
天野教授は赤崎教授の弟子にあたり、学部時代から二人三脚で窒化ガリウム(GaN)青色発光デバイスの研究に従事し、GaNのp型化に世界で初めて成功した。... 70年代初頭に早くもGaNの...
愛知地域ではGaN(窒化ガリウム)などのパワーデバイスの開発や蓄電池・燃料電池向け電極・導電材料の開発を通じて、次世代自動車の高度化や競争力強化を目指す。
三菱電機は東京工業大学や国内のベンチャー企業などと共同で、窒化ガリウム(GaN)の半導体を採用したマイクロ波加熱装置(用語参照)の開発に10月にも乗り出す。... それ...
製品面ではウエハー基板に窒化ガリウム(GaN)を使った次世代パワー半導体を供給できるIRの強みを活用する。「当社を通じてシリコン、炭化ケイ素(SiC)、GaNの3タイプ...
▽ヒルタ工業(岡山県笠岡市)、先端力学シミュレーション研究所(埼玉県和光市)=溶接部応力制御技術開発による自動車用サスペンション部品の軽量化▽サンエス(...
【力を入れる具体的な研究案件】(全129社) ・ビッグデータ活用、粒子線がん治療システム、レアアースレス磁石、原子炉内移動ロボット、再生可能エネルギーなど(日...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの低損失なパワー半導体向け。... SiCやGaNなどのパワー半導体は、従来のシリコンパワー半導体に比べ、低損失で小型化...
サイヴァクスの新サービスは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体、インジウムリン(InP)などの光学素子など対応できる素材が広...
ノヴァシックは半導体材料としてSiCのほか窒化アルミニウムや窒化ガリウム(GaN)も手がけており、こうした材料を加工するニーズにも対応する。
【封止材/パワー半導体用開発着々】 炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といった次世代パワー半導体関連の開発競争が過熱している。.....
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーデバイス用途で、電力変換やモーター制御など高電圧に対応したものへの搭載を見込む。
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)製半導体素子を基板に接合するため、銀系接合層の形成に必要となるメッキなど複雑な下地処理が不要になる。
サムコはこれまで、GaN向けではプラズマ化学気相成長(CVD)装置やエッチング装置、洗浄装置などをラインアップ。サファイア基板上にGaN結晶を成長させるMOCVD装置はなかった。......
東京大学の荒川泰彦教授とマーク・ホームズ特任研究員らは、一般的な半導体材料である窒化ガリウム(GaN)で作製した量子ドットを使い、量子情報処理に必要な1個のみの光子を27度Cという室温...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの材料開発における静電容量の測定で新手法を採用し、低周波領域で正確に解析できる。
パナソニックは光触媒に窒化ガリウム(GaN)を採用した。GaNは発光ダイオード(LED)照明に使われる半導体材料。... 電機メーカーにとって身近にある材料と技術を生か...
シリコン基板上にガリウムナイトライド(GaN)結晶を成長させる「GaN On Si(ガン・オン・シリコン)」に対応し、既存の直径200ミリメートル製造ラ...