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記事検索結果
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硬い微粒子を使うことで、第5世代通信(5G)基地局向け窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)ウエハーの研磨にも対応できる。
三菱電機は、1平方センチメートル当たりの素子抵抗率が従来比約50%減の1・84ミリオームと世界最高水準を達成した炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
今後も、社員の特許出願も推奨して、その実績に応じて申請したら報奨金が出るような仕組みづくりも整備していきたい」 「シリコンウエハー、パワー半導体基板、半...
今後成長が期待できるSiCパワー半導体で市場を開拓する。... エピ成膜装置は、SiCウエハー上に高品質のエピタキシャル膜を形成する装置。... フランコ・プレッティーLPE社長(写真)...
一般的な材料のシリコンはダイヤモンド刃で切断するが、SiCやGaNは難削材のため不向きという。... SiCは次世代半導体材料と目されるが、価格が普及の課題とされる。三菱電機は、同装置が生産性や歩留ま...
電力変換装置も炭化ケイ素(SiC)半導体を採用して体積を従来比45%減と小型化した。
ロームは炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスや絶縁ゲートドライバーを中心としたパワーソリューションを提供している。既に急速充電システム関係でSiCが採用されており、今後はメインインバータ...
【相模原】さがみはら産業創造センター(SIC、相模原市緑区、橋元雅敏社長、042・770・9119)は5日、インキュベーション施設の新棟「SIC―2 R&D L...
従来のシリコンや炭化ケイ素(SiC)基板と比べてダイヤモンドの熱伝導は優れるが、GaNとの熱膨張係数が違うため製造工程で不具合が発生しやすかった。
【京都】ロームはスイッチング損失を同社従来品比35%低減した、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品(写真&#...
推進用モーターや装備品モーター、発電機などに向けた炭化ケイ素(SiC)パワー半導体によるインバーターやDC(直流)/DCコンバーターなどを想定する。
パワー半導体の基板の素材にはセラミックスやSiC(炭化ケイ素)などが使われているが、「既存材料に比べガラスは安価」(西村宜幸事業本部本部長代理兼表面処理研究所所長)なの...
今後は技術革新とともに炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など次世代材料の採用も徐々に増えそうだ。 &...
SiC薄膜をウエハー上に成長させるプロセスを高度化し、表面欠陥密度を従来比2分の1以下にした。... SiCパワー半導体は、シリコン製に比べ耐高温や高電圧特性に優れ、大電流を流す用途での電力損失を大幅...
【相模原】さがみはら産業創造センター(SIC、相模原市緑区)は、中小企業の生産性向上や人材育成を支援する「SICカイゼンスクール」を9月14日に開講する。... 問い合わせはSIC&#...
▽良好な切れ味が持続するチタン刃物素材の低コスト製造技術の開発=武生特殊鋼材(福井県越前市)▽捕獲ろ過物の解析が容易なナノポーラスアルミナメンブレン(ろ過膜)の...
【相模原】相模原市とさがみはら産業創造センター(SIC)は、8月1日16時からサン・エールさがみはら(相模原市緑区)で第3回「産業用ロボットビジネスフォーラム」を開く。...
N700Sでは駆動システムへの炭化ケイ素(SiC)パワー半導体適用や機器の信頼性向上による床下機器の小型化・軽量化でスペースを捻出。
信頼性を高め、厳しい環境で耐久性が求められる炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といったパワー半導体への使用につなげる。
