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【相模原】相模原市とさがみはら産業創造センター(SIC)は、サン・エールさがみはら(相模原市緑区)で「産業用ロボットビジネスフォーラム」を開いた。

例えば半導体分野では基板材料として新たに炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などが増えつつあるが、それらの切断などでもダイヤモンド工具が活躍している。 ...

-用途の高機能化に応える-溶射技術 (2018/9/21 特集・広告)

一方で、近年注目を集めているのが炭化ケイ素(SiC)系繊維強化のSiC系セラミック基複合材料(CMC)上へのEBCである。SiCが高温下での水蒸気侵食により減肉すること...

【相模原】相模原市とさがみはら産業創造センター(SIC)は、10月2日16時からサン・エールさがみはら(相模原市緑区)で「産業用ロボットビジネスフォーラム」を開く。.....

「既にSiCや横型のGaNデバイスが実用化されつつある中、差別化のために電気を基板に対して縦に流す『縦型GaNパワー半導体』を開発中だ。GaNの電力損失は、Siと比べて10分の1、SiCと比べても2分...

日立、新構造のSiC半導体開発 (2018/9/4 電機・電子部品・情報・通信2)

日立製作所は電気自動車(EV)向けに炭化ケイ素(SiC)を使った新たな構造のパワー半導体を開発した。

車載や産機を含めた半導体別の設備投資は、次世代の炭化ケイ素(SiC)などを採用した高効率のパワー半導体に1000億円程度を充てる。SiCパワー半導体は10月以降に宮崎県の工場で量産を始...

三菱電機常務執行役に聞く、国内首位のパワー半導体戦略 (2018/8/22 電機・電子部品・情報・通信2)

想定よりも前倒しになっている印象があり、需要が大きくなるかもしれないという好感触を持っている」 ―炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の普及が進むのでは。 ...

シリコンに代わる次世代パワー半導体の市場を巡っては、炭化ケイ素(SiC)が実用化で先行する。例えばJR東海が20年度に導入予定の新型車両「N700S」には、床下の駆動システムにSiC製...

非鉄金属各社、電子材事業好調 IoT・AI普及追い風 (2018/8/17 素材・ヘルスケア・環境)

また17年10月には、パワー半導体用の炭化ケイ素(SiC)基板を低コストで生産する技術を持つサイコックス(東京都港区)の株式を取得。同技術の量産検証を進めており、電気自...

ジェイテクト、高耐久性セラ軸受開発 特殊環境向け (2018/8/16 機械・ロボット・航空機)

【名古屋】ジェイテクトは耐久性に優れたジルコニア製と炭化ケイ素(SiC)製のセラミックス軸受(写真)を開発した。... セラミックス軸受で一般的な窒化ケイ素製よりも、ジ...

さがみはら産業創造センター(SIC、相模原市緑区、042・770・9119)は、トヨタ生産方式(TPS)による業務改善手法を学べる中小企業向けセミナー「SICカイゼン・...

アノード電源では、2次側の整流ダイオードが性能律速となっており、炭化ケイ素(SiC)ダイオードを適用した場合、小型軽量・低発熱化が期待できる。 &...

昭和電工は2019年2月に秩父事業所(埼玉県秩父市)でパワー半導体用の高品質な炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハー(エピウエハー)の月産能力を現状...

「優等生」の殻破れるか 三菱電、2つのハードル (2018/6/29 電機・電子部品・情報・通信1)

部門間を緩やかに連携させ、炭化ケイ素(SiC)を使った半導体や第5世代の移動通信技術などを基盤に「化学融合」も狙う。

90年に帰国後は次世代半導体に使われる炭化ケイ素(SiC)の研究を開始し、15年に東洋炭素入社後も続けている。

ニチコン・理研など、XFEL向けパルス電源開発 (2018/6/18 電機・電子部品・情報・通信)

ニチコンは理化学研究所などと、次世代の炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体素子を使った、X線自由電子レーザー(XFEL)向けパルス電源を共同開発した。...

三社電機、SiCパワー半導体モジュール受注開始 3分の1に小型化 (2018/6/14 電機・電子部品・情報・通信2)

三社電機製作所は7月にも、次世代材料である炭化ケイ素(SiC)を使ったパワー半導体モジュールの受注を始める。SiCパワー半導体は普及しているシリコン製と比べ、エネルギー損失が少なく高温...

ローム、加社と業務提携 次世代GaN製パワー半導体で (2018/6/6 電機・電子部品・情報・通信2)

ロームは共同研究などを進め、主流のシリコンや炭化ケイ素(SiC)だけでなく、GaNもラインアップに加え、パワー半導体の幅広い需要に対応する。

そこで出力部分で炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した。

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