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三菱電、部門またぎ相乗効果拡大 IoT軸に組み合わせ (2018/5/22 電機・電子部品・情報・通信1)

研究開発のテーマとしては炭化ケイ素(SiC)を使った半導体モジュールや第5世代の移動通信技術を分野がまたがる基盤技術として挙げた。

駆動用モーターや発電機、DC/DCコンバーター、制御機器、バッテリーの安全・最適化、充送電、炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)モジュールなどがそ...

宇部興産、航空専門規格の認証取得 SiC繊維などで (2018/5/9 素材・ヘルスケア・環境)

宇部興産は炭化ケイ素(SiC)繊維や防爆用分離膜などの機能品事業で航空宇宙産業向けの品質管理規格「JISQ9100」の認証を取得した。... 特にSiC繊維のような次世代素材で新規参入...

【電子版】先週の注目記事は? (2018/4/17 特集・広告)

■アクセスランキング・ベスト10(4/9~4/15) 1位 全固体リチウム電池、日本主導で試験法の国際標準策定 ...

関西の電機メーカー、太陽光発電「自家消費」に活路 (2018/5/1 電機・電子部品・情報・通信)

そのため現在主力のシリコン半導体より、電力変換効率が高い炭化ケイ素(SiC)半導体を使ったパワーデバイスに期待が高まる。 【新棟を建設】 ロームは、...

SiCパワーモジュールも4社が担当。東芝、日立、富士電はダイオードのみSiC素子の「ハイブリッドSiC」、三菱電はトランジスタもSiC素子で構成した「フルSiC」を供給する。 フルS...

シリコン製より電力変換効率が優れる炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の市場を見通す。

パワー半導体材料には主に炭化ケイ素(SiC)や横型のGaNが使われるが、SiCは高周波で、横型GaNは高出力の面で課題があったという。

ローム、福岡に新工場棟 200億円投じSiCパワー半導体生産 (2018/4/11 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームは10日、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を生産する新工場棟(イメージ)を福岡県筑後市に建設すると発表した。... 従来のシリコン製と比べ電力の変換効率が...

日立、小・中容量UPS SiC半導体素子採用 (2018/4/3 電機・電子部品・情報・通信2)

内蔵の電力変換機器に炭化ケイ素(SiC)半導体素子を採用し、エネルギー効率で同社の従来製品比3・5ポイント増の93・5%を実現した。... 小・中容量のUPSでSiC半導体素子...

富士経済(東京都中央区、清口正夫社長、03・3664・5811)は、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の世界市場規模が2030年に17年比8・3倍の2270億円とする予測...

駆動システムにSiC素子 JR東海は、2020年度に東海道新幹線の新型車両「N700S」の運行を始める。... 変更に伴い、SiC素子の冷却方法を検討することになった。... SiC...

スイスのSTマイクロエレ、車などIoTに重点 日本で2ケタ成長狙う (2018/3/7 電機・電子部品・情報・通信1)

設備投資ではイタリアの工場で直径300ミリメートルウエハーの量産試作ラインを設置するほか、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体で同150ミリメートル製造ラインを増強するなど、生産能力を高め...

西部技研、研究開発拠点が完成 社外機関と技術連携 (2018/3/1 モノづくり基盤・成長企業)

【福岡】西部技研(福岡県古賀市、隈扶三郎社長、092・942・3511)は研究開発拠点「西部技研イノベーションセンター(SIC)=写真」を完成した。... SI...

GaNは炭化ケイ素(SiC)とともに電力損失が低く、高速・大電力に対応できるパワーデバイス用半導体として各社が実用化を進めている。

三菱電機は、直流の電気を3・3キロボルトの高電圧で送電できる炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を採用した変換器を開発した。... SiCパワー半導体の適用により、電気を変換するスイッチン...

ディスコ、8インチレーザソー開発 大径化で生産効率化 (2018/2/12 電機・電子部品・情報・通信)

ディスコは、炭化ケイ素(SiC)のインゴット(塊)から直径8インチの半導体ウエハーをレーザーで切り出す装置「DAL7440=写真」を開発した。... ウエハーを...

海外顧客の比率は現在40%だが、こうした取り組みを通じて50%へ高めたい」 ―SiCパワーデバイスの展開をどう強化しますか。 「SiCに関しては、1...

青木会長が、SiCを研究する江龍修名古屋工大教授と出会い、共同出資会社SiCツールズ(名古屋市守山区)を設立して開発に取り組んだものの、欠損が発生してしまうなど、SiCのもろさが長年の...

三菱電機は31日、実装面積を従来比で、ほぼ半減にした6・5キロボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを開発したと発表した。... 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...

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