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資金は前工程では北海道千歳市でのラピダスの生産拠点の建設や、極端紫外線(EUV)露光装置といった設備導入などを進める。
同結晶は紫外レーザーの波長変換素子として、今や次世代半導体の製造に用いる極端紫外線(EUV)露光の前工程と後工程に必須の素材だ。
25年度には元の成長軌道に戻る」 ―極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクスの好調は継続しますか。
リンテックは極端紫外線(EUV)露光装置向けに、フォトマスク(半導体回路の原版)の防塵カバー「ペリクル」を開発した。... リンテックは半導体回路パ...
次世代半導体の量産を目指すラピダス(東京都千代田区、小池淳義社長)は、北海道千歳市に建設中の工場で微細加工に不可欠な極端紫外線(EUV)露光装置を2...
同社が製造する極端紫外線(EUV)露光装置は、最先端半導体の生産に欠かせず、数十人から100人程度の技術者が、ラピダス新工場の生産ラインの立ち上げや保守点検に協力する。 ...
キヤノンは微細な回路をハンコを押すように形成できる「ナノインプリント」の技術を使った半導体露光装置「FPA―1200NZ2C=写真」を発売した。... 極端紫外線(...
レーザーテックは半導体向け極端紫外線(EUV)露光用パターン付きマスクの欠陥を高感度で検出できる高輝度EUVプラズマ光源「URASHIMA(ウラシマ)...
蘭ASMLのクリストフ・フーケ副社長は、ラピダスがパイロットラインを立ち上げる2025年までに極端紫外線(EUV)露光装置の導入準備を進めるほか、台湾積体電路製造(TSMC&#...
EUV露光用部材増強 ―事業環境の認識は。 ... (中国の需要に対し)今後どのようなサプライチェーン(供給網)...
AGCは27日、半導体向けの極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクスの生産能力について、2025年までに現在と比べ約30%増にすると発表した。... AGCでは17年に...
3月には北海道千歳市に新工場の建設を決めたほか、ベルギーの世界的な次世代技術の研究機関imec(アイメック)と次世代半導体の微細加工に必要な極端紫外線(EUV)露光技術...
次世代半導体微細加工向け 最先端半導体の開発製造会社のRapidus(ラピダス、東京都千代田区、小池淳義社長)は4日、ベルギーの世界的な次世代技術の研究機関であるim...
一方、JSRや東京応化工業、住友化学などが展開する極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストでは、輸出管理厳格化の影響はほとんどなかったようだ。... 韓国メーカーによる最先端半導体の...
最新機種のCG7300は極端紫外線(EUV)露光装置を用いる最先端半導体の量産ラインへの導入を目指し18年に開発を始めた。
次世代材料では最先端の極端紫外線(EUV)露光に対応したフォトレジスト用ポリマーや「有機金属プリカーサー」などを開発している。... EUVレジスト用ポリマーや有機金属プリカーサー、パ...
半導体部材、技術革新に挑む 全額出資子会社のAGCエレクトロニクス(福島県郡山市)が生産する半導体向けの極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランク...
同工場では次世代半導体の製造に不可欠とされる極端紫外線(EUV)露光に対応した製品を含む各種フォトレジストや、同じく半導体の製造に欠かせない高純度化学薬品を生産する。
