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SiC(炭化ケイ素)などパワー半導体、IoTソリューション、自動運転システムなど向けに、計測器とアプリを一体提案する。

【ローム・澤村諭社長/劇的に省エネ】 SiC(炭化ケイ素)として2度目の受賞となり非常に光栄。

第36回優秀省エネ機器表彰−経産大臣賞に三菱電機 (2016/1/21 機械・ロボット・航空機2)

28件の応募の中から、最高位の経済産業大臣賞には、三菱電機の「鉄道車両用フルSiC適用電力回生・高調波損失低減システム」が選ばれた。

産総研・本社など、来月5日にシンポジウム (2016/1/18 科学技術・大学)

省エネルギーなど次世代技術として注目を集めるSiC(炭化ケイ素)半導体にスポットをあてた内容で、松波弘之京都大学名誉教授や大森達夫三菱電機開発本部役員技監らが講演する。

電力消費、今後10年で53%増‐チリ銅委員会 (2016/1/15 素材・ヘルスケア・環境)

チリでは鉱山でのエネルギー需要拡大に対応するため、中南部の中央送電網(SIC)で約599メガワット、北部送電網(SING)で1119メガワットの発電能力を増やす必要があ...

京セラ、厚銅貼りで放熱性向上した基板材料を一部量産 (2016/1/6 電機・電子部品・情報・通信1)

京セラは炭化ケイ素(SiC)によるパワー半導体の放熱に適した基板材料(写真)を開発し、一部量産を始めた。... 従来のシリコン半導体よりも耐熱性能が高いSiC半導体など...

【ローム/トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ■オン抵抗低減で消費電力大幅減■ トレンチ(溝)構造を採用した、炭化ケイ素&#...

サムコ、パワー半導体向けALD装置を開発・販売−大型化も視野 (2015/12/3 電機・電子部品・情報・通信1)

炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使ったパワー半導体のゲート酸化膜形成用に、原子層堆積(ALD)装置を開発し発売した。同時にスウェーデンのS...

最新の国家プロジェクトの成果であるSiCデバイスを組み込んだこの装置は、PEKURISの「P」をPowerからPlasmaに進化させた製品となっている。

並木精密宝石、反り・ヒビなく一枚板−単結晶ダイヤモンド基板 (2015/11/25 電機・電子部品・情報・通信1)

【大学と開発連携】 ダイヤモンドは耐熱性や耐久性に優れており、半導体の基板に使えば炭化ケイ素(SiC)を使った半導体デバイスを上回る機能を持つ次世代デバイスが生み出せ...

《アルミ基−アルミ基−SiC粉末複合材料》 【熱対策部材】 ダイカストは溶かしたアルミニウムなどの金属を金型に素早く圧入して凝固させる金型鋳造法。... 【最速連続...

エア・ウォーターは炭化ケイ素(SiC)基板の用途提案を拡大する。... エア・ウォーターのSiC基板は、ケイ素(Si)基板上にSiCを成膜したもので窒化ガリウム(...

E235系は主制御器にSiC(シリコンカーバイド)製のパワー半導体素子を採用して車両の消費電力を抑制するほか、潤滑や冷却で使用するコンプレッサー油を不要としたオイルフリーコンプレッサー...

SiCはシリコンデバイスに比べ、同等の性能を10分の1の大きさで作製できるなど、今後の普及が期待されている。ただ、結晶をつくる段階では、一つの欠陥もないシリコンに比べ、SiCではデバイス性能への影響の...

パワーデバイスに使われる炭化ケイ素(SiC)素子と窒化ガリウム(GaN)素子の動作可能温度は、200度C以上。

ヘッドスプリング(東京都品川区、星野修社長、03・5495・7957)は、炭化ケイ素(SiC)を用いた次世代パワー半導体を搭載した電力変換回路ブロック「サーキットブロッ...

昭和電工はパワー半導体の材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーの直径4インチ(100ミリメートル)品と6インチ(150ミリメートル)品で欠...

サファイアやGaNのほか、ダイヤモンド、炭化ケイ素(SiC)、窒化アルミニウム(AlN)などの材料や光学ガラスでできた小型基板が対象となる。

ニチコンは1日、炭化ケイ素(SiC)半導体を採用した電力変換モジュールを開発したと発表した。... このモジュールではSiC半導体の採用によって低損失、高速スイッチングを実現するととも...

炭化ケイ素(SiC)ダイオードなどの従来品では難しい、低電圧作動と大電流での動作を両立するため、新たなダイオード構造と加工技術を編み出した。... GaNと同じ次世代パワー半導体と期待...

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