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記事検索結果
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消火時にファンが大風量で回転する時間を延長し、燃焼装置の高温時間を長くする「秒速消臭システムプレミアム」を搭載し、消化時のにおい(炭化水素濃度)を約40%削減した。 &...
想定よりも前倒しになっている印象があり、需要が大きくなるかもしれないという好感触を持っている」 ―炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の普及が進むのでは。 ...
また17年10月には、パワー半導体用の炭化ケイ素(SiC)基板を低コストで生産する技術を持つサイコックス(東京都港区)の株式を取得。
【名古屋】ジェイテクトは耐久性に優れたジルコニア製と炭化ケイ素(SiC)製のセラミックス軸受(写真)を開発した。
アノード電源では、2次側の整流ダイオードが性能律速となっており、炭化ケイ素(SiC)ダイオードを適用した場合、小型軽量・低発熱化が期待できる。 &...
昭和電工は2019年2月に秩父事業所(埼玉県秩父市)でパワー半導体用の高品質な炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハー(エピウエハー)の月産能力を現状...
部門間を緩やかに連携させ、炭化ケイ素(SiC)を使った半導体や第5世代の移動通信技術などを基盤に「化学融合」も狙う。
硬質なニオブ炭化物をごく少量添加することで、加工性を維持しながら耐摩耗性を高めた。... ニオブ炭化物の硬質な粒子が、摩耗による損傷を低減させる働きをする。... 同社によると、ニオブ炭化物の特性を生...
90年に帰国後は次世代半導体に使われる炭化ケイ素(SiC)の研究を開始し、15年に東洋炭素入社後も続けている。
ニチコンは理化学研究所などと、次世代の炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体素子を使った、X線自由電子レーザー(XFEL)向けパルス電源を共同開発した。
三社電機製作所は7月にも、次世代材料である炭化ケイ素(SiC)を使ったパワー半導体モジュールの受注を始める。
ロームは共同研究などを進め、主流のシリコンや炭化ケイ素(SiC)だけでなく、GaNもラインアップに加え、パワー半導体の幅広い需要に対応する。
下水処理施設の鳥羽水環境保全センター(京都市南区)に、脱水した汚泥を低温で炭化燃料にする施設(イメージ)を整備する。... 下水汚泥を250度―350度Cで炭化燃料にし...
炉内温度が所定の1050度Cに達するまで2時間加熱し、さらに約6時間にわたって、芯材表面の温度を計測した結果、最高到達温度は木材が炭化する危険温度の260度Cの半分程度となる、110度C以下に収まった...
そこで出力部分で炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した。
研究開発のテーマとしては炭化ケイ素(SiC)を使った半導体モジュールや第5世代の移動通信技術を分野がまたがる基盤技術として挙げた。
駆動用モーターや発電機、DC/DCコンバーター、制御機器、バッテリーの安全・最適化、充送電、炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)モジュールなどがそ...
