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■アクセスランキング・ベスト10(6/5~6/11) 1位 ニュース拡大鏡/「東芝メモリ」売却交渉、WDに契約違反リス...

次世代パワー半導体材料、酸化ガリウム急浮上−京大発VBがSBD開発 (2017/6/7 電機・電子部品・情報・通信2)

次世代パワー半導体の材料の候補に、酸化ガリウム(Ga2O3)が急浮上している。... そのためPN接合による電界効果トランジスタ(FET)を実現できず、パワー半導体の材...

2018年3月期に122億円を投じ、パワー半導体の月産能力を前期比40%増(直径200ミリメートルシリコンウエハー換算)にするほか、エアコン用のインテリジェントパワーモジュール...

《SiCウエハーレーザー切断−インゴッド加工、18時間に短縮》 電子機器への省エネルギー要求が高まる中、炭化ケイ素(SiC)が電力損失の少ない次世代パワー半導体材料と...

昭和電工、高品質SiCエピウエハーの生産能力3倍に増強 (2016/6/10 素材・ヘルスケア・環境)

昭和電工は9日、次世代パワー半導体材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーの高品質品の生産能力を従来比3倍の月3000枚に増強したと発表した。... シリコンからの材料変更...

「成長加速事業に位置づけた電子材料用高純度ガス、アルミ缶、機能化学品だ。... この3事業に加えてLIB材料、パワー半導体材料という新事業も育成することで収益を安定させる。... 高純度ガス、アルミ缶...

【九州/パワー半導体好調にかげり】 好調だったパワー半導体材料が中国経済の低迷で減産。

電力の直流・交流変換や電圧・周波数などの制御用のパワー半導体材料として注目される炭化ケイ素(SiC)。

カギは材料にある。... 日本には材料から製造装置、半導体メーカー、そして最終製品メーカーまで異なるレイヤー(層)でのトップ企業の集積がある。... 経産省の方針転換はパワー半導体材料...

【岐阜】ナガセインテグレックス(岐阜県関市、長瀬幸泰社長、0575・46・2323)は、次世代パワー半導体材料として注目される6インチの炭化ケイ素(SiC)ウエハーを、...

産業技術総合研究所は2400度Cという高温下で、人造グラファイトなど工業用カーボン材料の熱膨張を計測できる装置を開発した。... シリコン半導体製造やアルミニウム精錬、パワー半導体材料の製造といった超...

半導体基板は従来のシリコンに変わる材料が開発され、有機エレクトロ・ルミネッセンス(EL)向けの曲げられるガラスが商品化される見通し。... 【次世代パワー半導体材料】 ...

SiCデバイスを使った定格1200ボルト、75アンぺアのパワーモジュールを開発し、出力5キロワットの太陽光発電システム向けのパワーコンディショナーに利用した。... それぞれにSiCダイオードとSiC...

パワー半導体材料として有力視されるSiC国内市場で、今後2年間で10%のシェアを目指す。 ... MTKは半導体向け部材や切削工具の販売、半導体製造のコンサルティング業務を手がける。

電力損失の少ないSiCはシリコンに代わるパワー半導体材料として有力。... ロームや富士電機ホールディングス、デンソーなどもSiCパワー半導体の開発を急ピッチで進めており、同分野では日本の半導体各社が...

半導体製造装置大手が相次ぎ新分野に参入する。... SiCは次世代パワー半導体材料として期待され、NANDフラッシュは多機能携帯電話の販売増で需要が急拡大している。いずれも半導体や素材メーカーが重点分...

三菱電機は11日、炭化ケイ素(SiC)半導体を内蔵した新しいインバーターを試作し、シリコン製半導体を内蔵したタイプに比べて電力損失を9割低減できることを実証したと発表した。... 太陽...

SiCはシリコンに比べて絶縁破壊強度が約10倍大きく、電力変換器を効率化する次世代パワー半導体材料として有力。... すでにダイオードなどで実績があるほか、今後は中・高耐圧のパワー半導体である絶縁ゲー...

DOWAパワーデバイス(長野県塩尻市)は、アルミニウム―窒化アルミ製の金属セラミックス基板にベース板、放熱フィンを一体化したパワー半導体材料(写真)を開発した。... ...

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