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記事検索結果
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次世代の窒化ガリウム(GaN)の単結晶ウエハーには三菱ケミカルや住友化学が、酸化ガリウムにはタムラ製作所子会社のノベルクリスタルテクノロジー(埼玉県狭山市)が取り組む。...
酸化ガリウムや窒化ガリウム(GaN)といったガリウム系の素材を用いて、不規則な変動電源に対して常に高効率な対応が可能な「ユニバーサルスマートパワーモジュール(USPM)...
2030年までにGaNデバイス市場が約1000億円に上ると試算。... GaNデバイスをシリコン(Si)基板上に作製する「GaN―on―Si(ガン・オン・シリコン)」の...
本特集では次世代半導体として注目されるSiC(炭化ケイ素、シリコンカーバイド)、GaN(窒化バリウム、ガリウムナイトライド)、酸化ガリウム、ダイヤモンドといった材料の最...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウムを基板に使い、接続部の温度が高くなる次世代パワー半導体などでの使用を見込む。... SiCやGaN、酸化ガリウ...
SiC基板上にSiCのダイオードを作り、その上にGaNでトランジスタ構造を作った。... GaNトランジスタはノイズの逃げ場がなく、素子が破壊される課題があった。... 素子作製にあたりSiCとGaN...
【京都】サムコは13日、窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス向けなど、非シリコン材料を用いた電子デバイスのエッチング...
三菱ケミカルと日本製鋼所は、4インチサイズの窒化ガリウム(GaN)結晶(写真)の成長を確認した。両社は新しい低コスト製造技術を用いて、パワー半導体向...
シリコン(Si)や窒化ガリウム(GaN)、炭化ケイ素(SiC)などの半導体ウエハーに対応。
「SiCやGaN(窒化ガリウム)の素子に力を入れている。... GaNはまだ開発中で、より高速なスイッチングが要求される用途で今後使われるはずだ。
三桜工業は、窒化ガリウム(GaN)などの次世代パワー半導体基板の受託加工サービスの試験展開を始めた。... GaNと合わせて「難加工基板」と言われる窒化アルミニウム(...
例えば窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)などパワー半導体を活用することでモーター回転時の応答性が向上する。
また長年研究してきた大口径の窒化ガリウム(GaN)単結晶基板は、22年度の供給開始を目指し、いよいよ量産間近となった。GaN単結晶基板は、パワー半導体の機能向上に役立つと期待されている...
ダイヤモンドウエハーを用いたパワー半導体は、シリコンや窒化ガリウム(GaN)を用いた場合と比較し、高出力で放熱性に優れてており、6G用通信基地局や電気自動車(EV)の電...
【2000℃以上】 東洋炭素はシリコンや炭化ケイ素(SiC)単結晶製造工程向けのほか、ウエハー上に窒化ガリウム(GaN)層を製膜する際に使用する「MO...
発光ダイオード(LED)では、この転位は機能を大きく阻害しないためGaNの発光応用を実現する上で障壁にならなかった。... GaNデバイスを3度の傾斜で削れば、深さ方向は約20倍に拡大...
【浜松】浜松ホトニクスは7日、次世代パワー半導体材料である窒化ガリウム(GaN)など化合物半導体結晶の品質定量評価装置「ODPL測定装置C15993―01=写真」を開発、8月2...
過酷な条件下で設置される基地局や再生エネ分野の機器は、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などパワー半導体の採用が進む。
