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経営革新計画承認/東京都・22件 (2017/11/29 中小企業・地域経済2)

▽アドバンス(豊島区)=ドローンによる赤外線画像分析を活用した調査事業の実施▽ベルテック(西東京市)=工事現場の「見える化」の構築▽東海管理舎(...

例えば、現在展開している標準化モジュール『J1シリーズ』は、これまでのノウハウを生かし、顧客のニーズが高い性能を盛り込んでおり、強みを生かした一例だ」 ―炭化ケイ素(SiC&...

パワー半導体新潮流(1)効率・小型化で市場深耕 (2017/11/27 電機・電子部品・情報・通信)

≪SiCパワー半導体、EV需要で普及期≫ パワー半導体各社が攻勢を強めている。... それがSiCパワー半導体だ。... 一方、富士電機は今後1―2年かけて、SiCパワー半導体の製品...

三菱電機は22日、パワー半導体事業戦略説明会を開き、2022年度に売上高を17年度予想比17・6%増の2000億円に、営業利益率を同約3ポイント増の10%にする目標を明らかにした。.....

日立金属、ロームからウエハー製造工程の一部受託 (2017/11/10 素材・ヘルスケア・環境)

日立金属は9日、ロームから炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の製造工程の一部を受託することで合意したと発表した。... 次世代自動車向けをはじめとするSiCパワー半導体の需要増大をにらみ...

次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体では大口径化を進め、生産能力を同5倍に高める。... パワー半導体は安定的な市場が見込める。... SiCパワー半導体は姫路半導体工場で、生産ラ...

利昌工業、パワー半導体用エポキシ絶縁材投入 価格セラの10分の1 (2017/10/31 電機・電子部品・情報・通信2)

利昌工業(大阪市北区、利倉幹央(とくらみきお)社長、06・6345・8331)は、エポキシ樹脂を使ったパワー半導体用基板絶縁材(写真)を発売した。......

また、開発中のSiC(炭化ケイ素)製パワー半導体について有馬社長は「20年頃にはSiCパワー素子を組み込んだインバーターの量産を開始する」と説明。デンソーは、エネルギー損失を低減するS...

今後は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体により出力密度をさらに高めたインバーター搭載の次世代品の開発も進める。

三菱電機がSiCパワー半導体、電力損失20%超低減 (2017/9/25 電機・電子部品・情報・通信)

三菱電機は従来の炭化ケイ素(SiC)半導体に比べ、電力損失を20%以上低減できるSiCパワー半導体を開発した。... SiCパワー半導体はシリコンに比べて大電流を流せるため、省...

東芝は、パワー半導体向けの炭化ケイ素(SiC)トランジスタについて、素子の性能指標である「移動度」を高められる新製造技術を開発した。... より高性能な素子を安全かつ安価に製造する、次...

ダイキン、フィルムコンデンサー用新素材開発−電極面積5分の1 (2017/8/23 電機・電子部品・情報・通信1)

ダイキン工業は次世代パワー半導体の周辺部で使うフィルムコンデンサー用の新素材を開発した。... 近年、高温で動作する炭化ケイ素(SiC)基板の次世代パワー半導体が自動車などで採用される...

富士電機、SiCパワー半導体 年度内に製品化 電力損失8割減 (2017/6/26 電機・電子部品・情報・通信)

富士電機は従来のシリコン製パワー半導体に比べ、電力損失を約8割低減できる炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を開発した。... 今後は耐圧性能を広げるなど製品群を拡充し、新構造のSiCパワ...

調査対象は一般的なシリコン系のほか、物性値が優れる炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)を基板にした化合物系パワー半導体、酸化ガリウムやダイヤモンドをベースとした...

《SiCウエハーレーザー切断−インゴッド加工、18時間に短縮》 電子機器への省エネルギー要求が高まる中、炭化ケイ素(SiC)が電力損失の少ない次世代パワー半導体材料と...

熱効率に優れた炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを採用し、体積は5リットル、体積当たりの電力量を示す電力密度は1リットル当たり86キロボルトアンぺアを実現した。... SiCパ...

三菱電、SiC使ったダイオード2種発売−電力損失21%低減 (2017/3/2 電機・電子部品・情報・通信1)

ディスクリート(個別半導体)の一つであるダイオードにSiCパワー半導体を採用し製品化するのは、三菱電機としては初めて。これまでは複数のパワー半導体素子を組み合わせたモジュール製品を販売...

大阪大学産業科学研究所の菅沼克昭教授らは、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールの配線に耐熱性の優れた銀粒子を適用する技術を開発した。250度Cの熱にも耐え、印刷技術で線の幅や厚さ...

具体的用途として、250度C以上の高温に耐えられる脂環式エポキシ化合物を使った次世代パワー半導体用の封止材などを売り込む。... 従来、パワーデバイスに使われてきた封止材の大半は、耐熱性が175度C程...

GaNパワー半導体は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の次世代技術。... GaNウエハーの量産技術「アモノサーマル法」を、三菱化がパワー半導体向けに改良。... 素子の性能指標となる移...

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