三菱電機、米社出資でSiC基板確保 パワー半導体を軌道に

• 

  三菱電機上席執行役員・竹見政義氏　

パワー半導体事業に力を入れる三菱電機。現在はシリコンに代わる大電流特性や耐高温・電圧に優れた次世代半導体である炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体を軌道に乗せようとする。２０２３年にはＳｉＣの基板を安定的に確保するため、半導体材料を手がける米コヒレントと提携するなど布石を打つ。半導体・デバイス事業本部長を務める竹見政義上席執行役員に聞いた。

―コヒレントのＳｉＣ事業に出資しました。

「ＳｉＣの基板はシリコンと違い、どうしても基板の中に欠陥が入ってしまう。（優れた基板の製造には）これを減らす技術が重要で、コヒレントはそれに対して高い実力を持つと考えている。コヒレントに投資して基板を確保することで、基板から最適なチップの製造まで我々の手の内でやっていく」

• 

  三菱電機のパワー半導体モジュール

―各社がパワー半導体に投資をしています。

「目先の変動はあるが、車両が電動化していくのは間違いのない流れであり、パワー半導体の需要も今後増えていく。あとは（大型車向けなどに）ＳｉＣの需要がどこまで増えていくかだ」

―同じく次世代パワー半導体として有望な、高耐圧や電力損失の少ない酸化ガリウムの研究開発をするノベルクリスタルテクノロジー（埼玉県狭山市）に出資しました。

「まずはＳｉＣでしっかり数を増やしていくが、３０年代の半ばに市場投入するのを期待する。試作段階ではできているが、量産ベースに乗るのかはまだ分からない。基板を供給してもらい、デバイスを作成している」