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記事検索結果
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豊田合成は後にノーベル物理学賞を受賞する赤崎勇名城大学教授の指導を受け1991年に世界で初めて窒化ガリウム(GaN)系の青色LEDを開発。
調査対象は一般的なシリコン系のほか、物性値が優れる炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)を基板にした化合物系パワー半導体、酸化ガリウムやダイヤモンドをベースとした...
実用化の研究で先行するSiCや窒化ガリウム(GaN)を追い越そうと、事業化を目指している。... 調査会社である富士経済(東京都中央区)は、Ga2O3の市場規模が25年...
安川電機は窒化ガリウム(GaN)パワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモーターの販売を始めた。同社によるとGaNパワー半導体搭載のアンプ内蔵サーボモーターの開発は世界で初めて。 ...
ヘッドスプリング(東京都品川区、星野修社長、03・5495・7957)は、窒化ガリウム(GaN)をあらかじめ組み込んだ実験用回路「GaN回路ブロック」を開発した。同ブロ...
また、SiCや窒化ガリウム(GaN)など硬質材料の割合もハイブリッド車などの普及に伴い増加傾向で、16年度には同社が扱う材料のうち20%が硬質材料だった。
「炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)をベースにした次世代パワー半導体向けの電子回路の商用化に取り組んでいる。
昨年12月には米エフィシェント・パワー・コンバージョン(EPC)と協力し、ライダーのコア部品となる4ミリメートル角の窒化ガリウム(GaN)ICチップの回路デザインを開発...
須田さんは内閣府の大型産学連携プログラムにおけるGaN研究チームの代表者。GaNとSiCの両材料に詳しく、「公平な目でGaNの優位性を明らかにする」。 ウエハー、エピ、デバイスと統合...
三菱電機は12日、次世代移動通信システムに適用する、超広帯域の窒化ガリウム(GaN)製の増幅器を開発したと発表した。... デバイスは、高効率かつ低消費電力のGaN高電子移動度トランジ...
高温環境下で動作する炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など高温半導体素子をはじめ、高い熱伝導率が求められる発光ダイオード(LED)チップ向けに...
(敬称略) ▽テクノロジー部門優秀賞=新型ペダルシューズシステムでのパテントビジネス(大阪大学大学院・三上亮)▽ビジネス部...
日本は発光ダイオード(LED)の開発などでGaN素子の技術には蓄積があり、GaNウエハーの生産も世界トップシェア。... GaNパワー半導体では、シリコン基板上に横型のGaN系高電子移...
両機関は、16年度から始まった文部科学省の次世代半導体GaNの研究開発事業で連携しており、このプロジェクトを加速させる。 ... 天野教授のノーベル賞受賞につながった青色発光ダイオー...
SIPの「次世代パワーエレクトロニクス」では、SiCを筆頭に、次世代材料と目される窒化ガリウム(GaN)のほか、酸化ガリウムやダイヤモンドといった将来材料にも目を向ける。... GaN...
