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金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とダイオードの両方にSiCを採用。
宇宙航空研究開発機構(JAXA)と富士電機は、放射線耐性に優れ、電流損失を低く抑えられる「宇宙用SJパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
有機ELディスプレーの関連では、薄型トランジスタ素子の配線に使う薄膜形成材(ターゲット材)も製造しており、やはりテレビ向けなどの需要拡大を見込む。
東芝は次世代パワー半導体として期待される窒化ガリウム素子「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」(MOSFET)の実用化につながるプロセス技術を開発した。
「車載、産業機器向けの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に最も力を入れている。... 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は車載に加え、社会イ...
当社は2010年にSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を世界で初めて量産化した。... 主に車載充電器や(駆動用モーターを制御する)トラクショ...
「17年からSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を始めた。IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)も拡充する。
高電子移動度トランジスタ(HEMT)の発明で情報通信技術の発展に貢献した三村氏は「失敗があったからこそ有用な情報に気が付けた」とこれまでの研究について語った。
高速で低電力化が可能な「電界効果スピントランジスタ」の開発につながる可能性がある。 ... グラフェンは機械的強度や熱伝導などの特性に優れているが、原子層トランジスタとしては使いにく...
【立川】三喜電機(東京都八王子市、三田喜孝社長、042・665・4100)は、パワー半導体デバイスなど絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のスイッチング試験に使...
ローム・アポロ製造支援部の藤本武文氏は、スイッチ作用をする金属酸化膜半導体(MOS)型電界効果トランジスタで、顧客ごとの要求性能に合わせ部分的に最適化する開発を全体最適化に改める研究に...
酸化物薄層のおかげでGaN結晶の欠陥が減り、トランジスタ性能が向上するとみられる。今後酸化物薄層を制御する条件を探して最適化し、GaNトランジスタの実用化を目指す。 ... この制御...
また「薄ガラス基板」「シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)」は、サポインとは別枠で事業化を目指す。
2017年度中に有機半導体レーザーとして応用し、トランジスタと光信号を組み合わせて演算する光コンピューティング材料などに提案していく。
