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記事検索結果
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フェローテックホールディングスは、韓国の化学気相成長(CVD)―炭化ケイ素(SiC)事業から撤退する。... CVD―SiC事業は同社子会社アドマップ(岡山県玉...
【京都】ロームは、次世代材料の炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体を内蔵したAC/DC(交流/直流)コンバーターICを世界で初めて開発した。高効率なS...
高温・高耐圧対応を要する次世代自動車の車載向けに使う炭化ケイ素(SiC)のほか、将来は第5世代通信(5G)基地局など向けに極低温環境対応も求められる窒化ガリウム(...
心臓部のトランジスタは高周波向けには炭化ケイ素(SiC)を、低周波向けには絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を搭載。
【名古屋】SiCツールズ(名古屋市中区、青木渉社長、052・799・7601)は、市販の切削工具に3次元(3D)CMP(化学機械研磨)を施し、鋭利さを示...
三菱マテリアルは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの高温半導体素子を接合するための焼結型接合材料で、銅を使った2種類の材料を追加で開発した。
ヘッドスプリングは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの次世代半導体を使い、小型で耐熱性があり、変換効率のよい変換器の開発・製造技術を持つ。
砥粒にダイヤモンドを用いることで、切削工具や一般砥石では硬くて加工ができないサファイア、炭化ケイ素(SiC)などの非鉄系難削材も容易に加工できる。
フィリピン工場の新棟も6月に稼働予定だ」 ―次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体に約600億円を投じる計画で、当初の25年3月期までからを前倒しする方針です。&#...
産業技術総合研究所(産総研)ではこれまで新材料の炭化ケイ素(SiC)を用いたパワー半導体デバイスを開発してきた。... 従来は1200ボルト耐圧クラスでは困難だったSi...
パワー半導体材料として注目される炭化ケイ素(SiC)やサファイアなど硬脆材料の研削ができ、軽薄化と自動化による高効率化を後押しする。
実用化が進む炭化ケイ素(SiC)パワー半導体は性能が高いがコストも高く、普及の妨げとなっている。酸化ガリウムはSiCと同等以上のデバイス特性を発揮し、コストを半分以下に減らせると期待さ...
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターの原田信介SiCデバイスプロセスチーム長らは、通電時抵抗が世界最小という炭化ケイ素(SiC)トランジスタを開発した。... 0・...
自動車用の電力変換機器を高性能化できる炭化ケイ素(SiC)半導体。... SiC半導体は価格が高く、歩留まりにも改善の余地がある。「SiCデバイスの使用量が増える適切な時期に、適切な価...
三菱電機と東京大学の研究グループは4日、機器の誤動作の原因となる電磁ノイズの耐性化につながり、省エネルギー効果がある「炭化ケイ素(SiC)パワー半導体」の素子を開発したと発表した。.....
まずシリコンウエハーをターゲットに拡販するが、今後は炭化ケイ素(SiC)など化合物ウエハーに関しても加工の完成度を高める。
【京都】ロームは、次世代材料の炭化ケイ素(SiC)を使ったパワー半導体モジュール「フルSiCパワーモジュール」に、高温高湿の環境でも耐久性が高い機種を加えた。SiCは従来材料と比べ電力...
