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記事検索結果
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【京都】ロームは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」シリーズに、インバーター回路の低消費電力化に適した「R60xxMNxシリーズ=写真」を追加し...
NTTは16日、トランジスタ内でランダムな方向に動く電子(熱ノイズ)を観測し、一方向に動く熱ノイズをより分けて電流を流し、電力を発生させることに成功したと発表した。... トランジスタ...
トランジスタ、集積回路(IC)など電子部品の検品・仕分け梱包・配送などを行い、大手電機メーカー向けを中心に輸出入の受託業務を手がけていた。
同等の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールと比べて、スイッチング損失を約64%削減した。... フルSiCモジュールは、内部のショットキーバリアーダイオード&...
過充電・過放電など基本的な監視機能だけでなく、温度検出機能、充放電用電界効果トランジスタ(FET)の過熱防止機能、放電用FETの強制遮断機能などもLSI内部に組み込んだ。
車載用ECU内のリレーを駆動するICで高耐圧パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を内蔵した。
電子移動度が高く、小さなトランジスタで大電流を流せる独自の酸化物半導体「OSFET」を駆動回路に採用。
黒リンは炭素物質のグラフェンよりバンドギャップ(電子が存在しない領域)が大きく、トランジスタの材料として有望。... 試作したトランジスタのスイッチング動作に必要なバンドギャップは1・...
ちなみに、FinFETとはフィン(ひれ)状の薄いシリコンを持った3次元構造の電界効果トランジスタ(FET)のこと。トランジスタのリーク電流を抑えながら、高速動作と省電力...
東京大学大学院工学系研究科付属量子相エレクトロニクス研究センターの岩佐義宏教授らは、理化学研究所などと共同で、単一の超電導ナノチューブを使ったトランジスタを開発した。
縦型トランジスタを縦方向へ直列につなぐ積層構造として作り込むことで面積を縮小し、製造コストを30%以下に減らせる。... 平面型トランジスタを使った既存の論理回路に比べ、パターン面積を10―2...
光センサーの基板上で発光ダイオード(LED)などの発光部品とフォトトランジスタなどの受光部品が近接して実装される場合でも光学的に分離してセンサーの誤動作や感度の低下を防ぐ。
インバーターに搭載するSiCデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などを中心にサポートする。... ローム滋賀では金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSF...
ドイツの新拠点で取り扱うのは、インバーターに搭載するSiCパワーデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)など、車載・産機向けの製品が中心となる。
新製品はダイオードやトランジスタなどのサイズ要求に対応し、最小ワーク(加工対象物)サイズは0402(0・4ミリ×0・2ミリメートル)。
GaNパワー半導体では、シリコン基板上に横型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)などを形成するデバイスは量産されている。 ただGaN基板上にGaNの金属酸化...