- トップ
- 検索結果
記事検索結果
1,260件中、25ページ目 481〜500件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
湘南工科大学の渡辺重佳教授は、平面型トランジスタの微細化の限界を克服する新しいシステムLSIの設計法を考案した。... 平面型トランジスタを使った従来の論理回路に比べ、パターン面積と製造コストを大幅に...
主な素子のトランジスタとダイオードにSiCを使った「フルSiCパワー半導体」をインバーターに搭載した。
半導体中の電子スピンの向きを安定的に操作できるようになり、量子コンピューターや電界効果型スピントランジスタなど、電子スピンを使った演算素子の実現に貢献すると期待される。... この電子スピンの長距離輸...
電気の流れを制御するパワー半導体の素子のトランジスタとダイオードにSiCを使い、「フルSiCパワー半導体」としてインバーターに搭載した。
鴻海は、スイッチ用トランジスタにLTPS(低温多結晶シリコン)を、駆動電流用はシャープ独自のIGZO(酸化物半導体)を組み合わせて、アップル仕様に応えたい考えだ。...
【トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ロームは2015年6月、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と...
開発したのは、65ナノメートル世代のシリコントランジスタに混載した、メモリー容量が約4メガビット(メガは100万)のSTT―MRAM。
トランジスタの電子供給層にインジウムを加え、回路設計を工夫するなどして従来比1・8倍に性能を高め、通信可能な距離を同約30%延ばした。... 今回、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(...
▽中興化成工業(東京都港区)=次世代自動車向け高耐摩耗性PTFEチューブの開発(次世代自動車)▽AeroEdge(足利市)=航空機エンジ...
トランジスタや透明導電性フィルムへの応用が期待されており、トランジスタは30年には4兆円市場になるとされる。
GaNトランジスタは高電圧で動作して高出力を出せる。... 携帯電話基地局で使う信号増幅器ユニットにGaNを採用すれば、従来のシリコン(Si―LDMOS)トランジスタより搭載数が減り、...
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の厚みを薄くすることで電気の通りを良くし、従来製品と比べ電力損失を約40%低減した。
今回、フォトダイオード周辺回路を独自開発してRG部のトランジスタをなくした。さらにTG部のトランジスタの出力部を低容量化することで感度を大幅に高め、ノイズを低減した。
通常のIC用トランジスタを使う場合に比べて、3倍以上の動作安定性でICの指紋を作れる。
SiCやGaNを使った次世代パワー半導体では高速スイッチングと高耐圧が求められ、トランジスタのゲート酸化膜をできるだけ薄く精密に形成する必要がある。
トランジスタの経年劣化や情報漏えいへの対策が一層重要になる中、今年は特にハードウエアのセキュリティーを議題に掲げ、招待講演として横浜国立大学の松本勉教授が総論を語る。
現在、デオキシリボ核酸(DNA)解析などに使われているイオン感応性電界効果トランジスタの100倍の感度という。
