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第58回十大新製品賞/モノづくり賞−ローム (2016/2/5 電機・電子部品・情報・通信2)

【トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ロームは2015年6月、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と...

京セラ、厚銅貼りで放熱性向上した基板材料を一部量産 (2016/1/6 電機・電子部品・情報・通信1)

京セラは炭化ケイ素(SiC)によるパワー半導体の放熱に適した基板材料(写真)を開発し、一部量産を始めた。... 従来のシリコン半導体よりも耐熱性能が高いSiC半導体など...

【ローム/トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ■オン抵抗低減で消費電力大幅減■ トレンチ(溝)構造を採用した、炭化ケイ素&#...

サムコ、パワー半導体向けALD装置を開発・販売−大型化も視野 (2015/12/3 電機・電子部品・情報・通信1)

炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使ったパワー半導体のゲート酸化膜形成用に、原子層堆積(ALD)装置を開発し発売した。同時にスウェーデンのS...

並木精密宝石、反り・ヒビなく一枚板−単結晶ダイヤモンド基板 (2015/11/25 電機・電子部品・情報・通信1)

【大学と開発連携】 ダイヤモンドは耐熱性や耐久性に優れており、半導体の基板に使えば炭化ケイ素(SiC)を使った半導体デバイスを上回る機能を持つ次世代デバイスが生み出せ...

エア・ウォーターは炭化ケイ素(SiC)基板の用途提案を拡大する。... エア・ウォーターのSiC基板は、ケイ素(Si)基板上にSiCを成膜したもので窒化ガリウム(...

【横浜】レーザーテックは、炭化ケイ素(SiC)を使ったウエハーの表面と内部の結晶欠陥を同時に検査できる装置「WASAVIシリーズSICA88」を発売した。... SiCはシリコンデバイ...

パワーデバイスに使われる炭化ケイ素(SiC)素子と窒化ガリウム(GaN)素子の動作可能温度は、200度C以上。

ヘッドスプリング(東京都品川区、星野修社長、03・5495・7957)は、炭化ケイ素(SiC)を用いた次世代パワー半導体を搭載した電力変換回路ブロック「サーキットブロッ...

昭和電工はパワー半導体の材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーの直径4インチ(100ミリメートル)品と6インチ(150ミリメートル)品で欠...

サファイアやGaNのほか、ダイヤモンド、炭化ケイ素(SiC)、窒化アルミニウム(AlN)などの材料や光学ガラスでできた小型基板が対象となる。

ニチコンは1日、炭化ケイ素(SiC)半導体を採用した電力変換モジュールを開発したと発表した。... このモジュールではSiC半導体の採用によって低損失、高速スイッチングを実現するととも...

炭化ケイ素(SiC)ダイオードなどの従来品では難しい、低電圧作動と大電流での動作を両立するため、新たなダイオード構造と加工技術を編み出した。... GaNと同じ次世代パワー半導体と期待...

電力の直流・交流変換や電圧・周波数などの制御用のパワー半導体材料として注目される炭化ケイ素(SiC)。... SiC結晶は「昇華法」で量産されている。SiCを2500度Cに加熱、蒸発さ...

日本原子力研究開発機構先端基礎研究センターの朝岡秀人研究主席、同機構量子ビーム応用研究センターの田口富嗣研究主幹らは、結晶状態を複合化させた炭化ケイ素(SiC)系ナノチューブの作製手法...

日立製作所と日立オートモティブシステムズは28日、炭化ケイ素(SiC)半導体の採用などで電力損失を同社従来比で6割低減した車載向けインバーター(写真)を開発したと発表し...

パワコンの制御回路に炭化ケイ素(SiC)ダイオードを搭載するとともに、回路パターンの低損失化といった独自のインバーター技術を採用。

▽並木精密宝石(東京都足立区)=内視鏡3D光プローブ式精密測定機の開発▽クラーロ(青森県弘前市)=生体材料の観察に適した倒立蛍光デジタルスキャナの開発▽...

安川電機は26日、電力変換装置であるマトリクスコンバーターの次世代機として、炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体モジュールを搭載したモデルを開発したと発表した。... SiCを用いたパワ...

取鍋のふたに耐火物の表面温度を1000度Cまで加熱できる炭化ケイ素(SiC)ヒーターをセット。... SiCヒーターは衝撃に弱いためステンレス製の保護柵も設けた。

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