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記事検索結果
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当社は2010年にSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を世界で初めて量産化した。... ゲート酸化膜にかかる電界を低減し、壊れにくくした」 ...
【立川】三喜電機(東京都八王子市、三田喜孝社長、042・665・4100)は、パワー半導体デバイスなど絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のスイッチング試験に使...
また「薄ガラス基板」「シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)」は、サポインとは別枠で事業化を目指す。
現状のシリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、短絡までの時間が一般的に8マイクロ―10マイクロ秒(マイクロは100万分の1)。
自動車や家電などに搭載される絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)向けで、パワー半導体メーカーに提案する。 ... ソフィ―400は高エネルギー対応により、ウエ...
電気自動車(EV)向けの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などで、デバイスの小型化・高効率化に貢献できる。... 一般的なIGBTで使われる絶縁回路基板やリー...
パワー半導体もショットキーバリアーダイオードだけでなく、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)も強化する。
組み立てや検査などの後工程では、長野県などの国内3拠点で自動車用の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールの生産ラインを増設。
【京都】ロームは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」シリーズに、インバーター回路の低消費電力化に適した「R60xxMNxシリーズ=写真」を追加し...
同等の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールと比べて、スイッチング損失を約64%削減した。... フルSiCモジュールは、内部のショットキーバリアーダイオード&...
インバーターに搭載するSiCデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などを中心にサポートする。... ローム滋賀では金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSF...
ドイツの新拠点で取り扱うのは、インバーターに搭載するSiCパワーデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)など、車載・産機向けの製品が中心となる。
中村泰三 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や中央演算処理装置(CPU)といった、キー部品の調達を担当する部門で、開発製品に使用される部品の選定や価格...
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のパワー素子に使える。... これまでIGBTやパワーMOSFETの製...
現在は主に絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などのパワー半導体を担当。... 電池からきた電流をIGBTが組み込まれたインバーターで制御しモーターを動かします。 &#...
絶縁耐圧が6キロボルトの「LV100=写真」2機種と同10キロボルトの「HV100」3機種で構成する。... 独自の第7世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とダイオ...
三菱電機は30日、先端の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を採用した産業機器向けパワー半導体に、定格電圧1700ボルトの新製品を追加して発売すると発表した。第7世代のIGBT...
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の厚みを薄くすることで電気の通りを良くし、従来製品と比べ電力損失を約40%低減した。
新製品は「HVIGBTモジュールXシリーズ=写真」で、同社独自の第7世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とダイオードを搭載し、従来製品と比べ電力損失は約20%...
