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ソニーは東芝からの工場の買い戻しを含め、長崎の拠点に11年度に約1000億円を投じ、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの生産を増強する。
1062万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載し、裏面照射型で最低照度4ルクスと高感度化も果たした。
パナソニックは26日、回路線幅110ナノメートル(ナノは10億分の1)のバイポーラ相補型金属酸化膜半導体(BiCMOS)製造プロセスを開発したと発表した。... またバ...
キヤノンは19日、業務用の高性能相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサー搭載で1画素当たりの受光面積を従来比2・6倍にした家庭用ハイビジョン(HD)ビデオカメラ「アイ...
富士フイルムは同社初のGPS機能のほか、1600万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを採用した「ファインピックス F550EXR」を3月末に国内外で発売する。
半導体各社は素材にシリコンの代わりに炭化ケイ素(SiC)を活用した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の生産に乗り出す。
東芝からの工場の買い戻しを含め、長崎の拠点に2011年度に約1000億円を投じ、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの生産を増強する。
【京都】ロームは21日、世界で初めて炭化ケイ素(SiC)製DMOSFET(二重拡散金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を量産、12月から出荷を始めたと発表した。
シリコン基板上に量子ドットレーザーを貼り付けたシリコン光源を3年間で開発し、将来、現行の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで量産してLSIチップに集積化する。
従来は外付けが主流だったパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と、従来はディスクリート部品で構成していたサーマルシャットダウン、過電流保護、低電圧誤作動防止、デット...
東京大学大学院工学系研究科の鳥海明教授らは、15ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)に使う新しい材料として、化合物半導体のゲル...
シリコン基板上に高誘電体材料であるハフニウム酸化物の結晶膜を合成した絶縁膜で、低消費電力のLSIを作れるようになる。 ... 結晶成長を精密にコントロールする熱処理プロセスを取り入れ...
ルネサスエレクトロニクスは28ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降のシステムLSI開発に向け、標準の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)ロジック回路と親和性の高い混...
3・2メガバイトの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)カメラに対応でき、一般的に使われる1・2メガバイトのカメラと比べ、高精細な撮影が行える。
東京大学と産業技術総合研究所などは6日、22ナノメートル世代(ナノは10億分の1)のLSI開発に向け、従来のシリコンの限界を超える相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トラ...
