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記事検索結果
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【一般研究開発助成(レーザプロセッシング)】▽九州工業大学大学院秋山哲也教授「レーザフォーミングを用いた意匠面の作成技術の開発」▽東洋大学尼子淳教授「精密加工へ用いる時空間波形歪が補償...
今後は、大学などと連携して開発した炭化ケイ素(SiC)半導体パワーモジュールを、製品に搭載することも計画中だ」 ―NECST事業の戦略をどう描きますか。 &#...
エピタキシャル装置は、炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)の次世代半導体ウエハーに対応した製品を拡販する。
耐熱温度は270度Cで、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の動作上限温度とされる250度Cを上回る。
また、開発中のSiC(炭化ケイ素)製パワー半導体について有馬社長は「20年頃にはSiCパワー素子を組み込んだインバーターの量産を開始する」と説明。
“活性”化する市場−汎用品で価格競争も 活性炭は石炭やヤシ殻、木材チップなどを高温で炭化し、多くの微細孔を持たせるために「賦活」と呼ぶ処理を施す。
「シリコンウエハーの搬送治具などに加工する炭化ケイ素(SiC)、露光装置のレンズ材などに使用する合成石英、シリコンウエハーの化学機械研磨(CMP)に使うセリア系スラリー...
今後は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体により出力密度をさらに高めたインバーター搭載の次世代品の開発も進める。
蒸留温度50度―200度Cを1度C単位で設定でき、炭化水素系、アルコール系、フッ素系など各種の溶剤に対応する。
そこで有機半導体の単結晶表面に炭化水素鎖を成膜し、その上に有機半導体の多結晶層を形成した。 炭化水素鎖によって界面が乱れ、正孔が多結晶から単結晶に移動する電気的な通り道ができた。
研究チームではより硬度の高いセラミックスの方が磨耗に強いと見て、炭化ケイ素を使ったポンプの製造にも取り組んでいる。
メタン発酵に伴い発生する残渣(ざんさ)も炭化して燃料にすることで、廃棄物の完全エネルギー化を目指す。 施設はメタン発酵設備2基や発電用ガスエンジン、発酵後の残留物を炭...
また、炭化物の付着を防ぎ、コテ先の汚れの防止やハンダ付けの際に発生するフラックスヒュームも削減し、装置のメンテナンスの手間を省く。
住友金属鉱山は3日、加賀電子の子会社のサイコックス(東京都千代田区)に出資し、パワー半導体用の炭化ケイ素(SiC)基板を安価に量産する技術の検証を始めると発表した。
三菱電機は従来の炭化ケイ素(SiC)半導体に比べ、電力損失を20%以上低減できるSiCパワー半導体を開発した。
国土交通省が新たに定め9月に適用された平成28年規制では、最高時速130キロメートル以上の2輪車の場合、排出ガス中の各種物質の1キロメートル走ったときの排出量を、一酸化炭素で従来比56・5%減...
東芝は、パワー半導体向けの炭化ケイ素(SiC)トランジスタについて、素子の性能指標である「移動度」を高められる新製造技術を開発した。
