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記事検索結果
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(微細化で優れる極端紫外線〈EUV〉露光装置が注目を集めるが)必ずしもEUVで製造した最先端の半導体だけが市場で求められているわけではない。... 貿易法務部門と連携し、きめ細かな情報...
極端紫外線(EUV)露光対応フォトレジストの生産を開始したほか、数年内にも5Gアンテナ一体型のディスプレー用フィルムを発売する。... EUV露光技術は半導体の電子回路をナノメートルオ...
AGCは27日、半導体の生産工程で用いる消耗部材の極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクス(写真)の生産能力を現状の2倍程度に引き上げると発表した。... EU...
2019年には最先端の半導体加工技術である極端紫外線(EUV)露光用マスクパターンの欠陥検査装置(写真)を開発。
住友化学の岩田圭一社長は「極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストでもトップを狙いたい」と話す。... EUVは最先端の露光技術で、第5世代通信(5G)や人工知能&#...
半導体露光装置はカメラレンズで培ってきた光学技術を応用。... 半導体製造装置分野では、紫外線で効率的に微細な加工をする極端紫外線(EUV)露光装置が話題を集める。... 半導体露光装...
住友化学は22日、最先端の半導体製造プロセスである極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストの開発・評価体制を強化すると発表した。... 人工知能(AI)や第5世代通信...
大阪工場(大阪市此花区)で回路パターンを転写する露光工程用レジスト(感光材)生産設備を拡充し、20年に本格稼働させる。... 大阪工場では、高機能な半導体の主要な製造プ...
レーザーテックは最先端の半導体加工技術である極端紫外線(EUV)露光用マスクパターンの欠陥を高感度に検出するEUV欠陥検査装置ACTIS「A150」を製品化した。 E...
直径200ミリメートルサイズの同クラスのi線露光装置は1995年に発売した装置以降、開発を止めていた。... 【設備補完強み】 極端紫外線(EUV)露光技術で微細な半...
【レーザーテック/アクティニックEUVパターンマスク欠陥検査装置 ACTIS「A150」】 最先端の半導体加工技術である極端紫外線(EUV)露光用マ...
極端紫外線(EUV)露光技術で微細な半導体を生産するメーカーの採用を見込む。 ... EUV露光技術は7ナノおよび5ナノメートル世代の半導体デバイスの量産で活用されて...
【横浜】レーザーテックは、半導体加工技術の極端紫外線(EUV)露光用マスクパターンの欠陥を高い感度で検出するEUV欠陥検査装置「ACTIS A150=写真」を製品化した...
化学各社は最先端の半導体加工技術である極端紫外線(EUV)露光工程向け素材の供給体制を整備する。... EUV露光を使った半導体の生産も始まっており、EUV材料市場...
電子事業は需要が見込める極端紫外線(EUV)露光用のフォトマスクブランクスの供給体制を拡充する。
現行の10ナノメートルチップと同じ「ロー・パワー・プラス(LPP)」プロセスで製造され、より微細な電子回路作製への適用が期待される極端紫外線(EUV)露光装置は使わない...
半導体は極端紫外線(EUV)露光などの次世代技術関連の研究も行うが、短期ではプラスアルファの技術でのフッ化アルゴン(ArF)露光の延命に対応することがポイントだ」...
JSRは20日、米国半導体製造技術組合のSEMATECHと共同で、化学増幅型の感光性材料(フォトレジスト)を使って極端紫外線(EUV)露光し、線幅15ナノメートル...
マスクパターンを改良して露光技術の精度を約20%向上、20ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降のLSIに対応する。同装置は従来、30ナノメートル世代の対応まで改良が進んで...
