- トップ
- 検索結果
記事検索結果
457件中、7ページ目 121〜140件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.003秒)
子会社の富士通ゼネラルエレクトロニクス(岩手県一関市)がGaNデバイスメーカー大手、米トランスフォームの高耐圧性GaN―FETチップを搭載したモジュールを開発した。... サンプル価格...
大口径GaN基板が量産化されると、GaN基板上にGaN結晶を成長させ、より結晶欠陥の少ない基板を用いて高性能なパワー半導体を生産できるようになる。 このGaNオンGaN基板は、次世代...
現在、旅客機を対象としたハイブリッド化技術が検討されており、小型航空機においては窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)を用いた次世代パワー半導体を、電動システムへ...
三菱ケミカルと日本製鋼所は18日、半導体向けの2、4、6インチの窒化ガリウム(GaN)単結晶基板を生産できる初の量産実証設備を完成したと発表した。 ... 今後、4イ...
岩崎通信機は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体デバイスの評価に適した電流プローブ(探針)「SS―500シリーズ=写真...
【京都】ロームは150ボルト耐圧の窒化ガリウム(GaN)製高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、ゲート端子とソース端子間の定格電圧を業界最高レベルの8ボルトに高める技...
岩崎通信機は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーエレ分野に注力する中、ユーザー要望に応える12ビットの高分解能、8チャンネルオシロが好調だ。
多くの研究者が敬遠した窒化ガリウム(GaN)と辛抱強く向き合い、20世紀中の開発は不可能とされた“常識”を覆した。 ... 世界中の研究者が見切りをつけたGaNにこだ...
従来のマイクロLEDは、窒化ガリウム(GaN)半導体ウエハーをプラズマエッチング法で小さく削る方法で作製されている。... (木曜日に掲載) ◇産総研...
現在では、次世代パワー半導体としてSiCだけではなく、窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム、ダイヤモンドといったより低損失なパワー半導体が台頭してきている。 ...
窒化ガリウム(GaN)デバイスと低温同時焼成セラミックス(LTCC)基板を応用することで小型化した。... GaNデバイスを採用することで、従来のシリコン系デバイスより...
大手パワー半導体メーカーは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など次世代デバイスへ経営資源をシフトしている。
「ローカル5Gを活用したソリューション事業や、グループに迎えたGaN(窒化ガリウム)製レーザー製品を手がける米ソラー・レーザー・ダイオードなどの売り上げがけん引役となる。
岩崎通信機は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体の開発向けに、最大ピーク電流2キロアンペアで測定する半導体カーブトレーサー「CS―8000シリ...
窒化ガリウム(GaN)などの次世代パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業に20億円を新規で計上。
岩崎通信機は30日、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体デバイスの評価に特化し、同社初となる最大入力8チャンネルのオシロスコープ「DS―800...
エア・ウォーターは26日、高周波トランジスタ製造に最適な新しい窒化ガリウム(GaN)積層構造の開発に成功したと発表した。汎用的で塑性変形しにくいチョクラルスキーシリコン基板を下地にし、...
シリコンだけでなく、小型基板が主流となっている炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体ウエハーにも対応できる。
既存の回転工具による加工が難しいサブミクロンオーダーや、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)などの脆性材の加工に対応する。
