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記事検索結果
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1チップの電流が50アンぺア以上と世界最高クラスの大電流化を実現する窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体は20年代前半の量産を目指す。
従来はGaN結晶を溶かして欠陥を特定していた。簡便な検査手法が確立し、高品質GaNの研究が加速する。... GaNの刃状転位と混合転位という欠陥を非破壊で検出できる。
駆動用モーターや発電機、DC/DCコンバーター、制御機器、バッテリーの安全・最適化、充送電、炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)モジュールなどがそ...
GaNを大口径に結晶成長させる手法なども開発。... GaNはパワー半導体材料として期待され、サファイア基板上にGaN結晶を作る方法などが実用化された。天野教授らのGaN基板の上にGaN結晶を育てる手...
三菱電機が第5世代通信(5G)需要の取り込みに向け、基地局向けに窒化ガリウム(GaN)を使った高周波デバイスの提案を強化する。... 20年度にはGaN高周波デバイス事...
片方は、敵対的生成ネットワーク(GAN)に関連した最新研究を基にAIがデザインしたものだ。 GANは、本物と同じような内容を作るネットワークと、本物か識別するネットワ...
電流を基板に対して垂直に流す「縦型」のGaNを採用し、大電流化と高周波を両立させた。... 主力製品の一つである発光ダイオード(LED)に使うGaNの技術を応用した。... パワー半導...
欠陥の仕組みの解明など高品質なGaN結晶の作製技術につながる。 GaN結晶断面にレーザー光を複数の高さで平面スキャンした。... GaN基板上で結晶成長する薄膜中...
一方、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の世界市場規模は30年に17年比72・2倍の1300億円とした。
◇大電力の電源機器を高速・小型化 パナソニックは、データセンター(DC)や通信基地局などで使う大電力の電源機器を高速に動かせる絶縁ゲート(MIS)型窒...
ルネサスエレクトロニクスは、宇宙産業向けに放射線耐性を持つ窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)と、GaNFETドライバーICを発売した。
ダイヤモンド電機は窒化ガリウム(GaN)パワー半導体を用い、最大2000キロヘルツの高周波数動作ながら電力変換効率が95%と高い、名刺サイズの絶縁双方向電力変換器(写真...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル成長装置も引き合いが多い。
トランスフォームの高電圧(HV)GaN(窒化ガリウム)製品は、安川電機のサーボモーター「Σ―7F(シグマ・セブンF)」で採用され、性能と電力密度の向上に...
近年、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)などを用いた次世代パワー半導体やDC/DCコンバーター向けで高周波製品が増えており、改良してニーズに対応した...
【横浜】レーザーテックは次世代半導体ウエハーの窒化ガリウム(GaN)ウエハーに特化した欠陥検査/レビュー装置「GALOIS(ガロワ)=写真」を開発し受...
エピタキシャル装置は、炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)の次世代半導体ウエハーに対応した製品を拡販する。
京都工芸繊維大学グリーンイノベーションセンターの上田大助特任教授らは31日、青色発光ダイオード材料として知られる窒化ガリウム(GaN)の成膜を高品質・高効率で行う技術を開発したと発表し...
GaNと絶縁層の間にガリウム酸化物の薄層が存在していた。... 二酸化ケイ素を絶縁層に使ったGaNトランジスタを作製し、絶縁層とGaNの界面に厚さ1・5ナノメートル(ナノは10億分の1)...
