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記事検索結果
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2018年4月には、航空機関連市場などをターゲットとする菊水電子工業が、炭化ケイ素(SiC)を搭載することで従来製品に比べて体積当たりの電力を約3倍に向上した交流安定化電源を発売。
30年の炭化ケイ素(SiC)系は同10.8倍の4230億円、窒化ガリウム(GaN)系が同60.3倍の1085億円と大幅に伸びる予測を立てた。 &...
ナノレベル(ナノは10億分の1)の加工精度が求められる光学レンズ製造用金型や、扱いが難しい炭化ケイ素(SiC)金型などの生産効率を高める。 SiCや複...
カーリットHDはダイヤモンドや窒化ケイ素などの硬い粒子を20―40%の高濃度で液体中に分散できる独自技術を持つ。... 硬い微粒子を使うことで、第5世代通信(5G)基地局向け窒...
三菱電機は、1平方センチメートル当たりの素子抵抗率が従来比約50%減の1・84ミリオームと世界最高水準を達成した炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
伊LPE(ロンバルディア州)は2日、パワー半導体向けの枚葉式炭化ケイ素(SiC)エピ成膜装置「PE1〇6A(イチマルロクエー)」を日本市場に投入すると発...
三菱電機はワイヤ放電加工機の技術を応用し、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの半導体材料を薄く切断する装置を開発した。... 一般的な材料のシリコンはダイ...
電力変換装置も炭化ケイ素(SiC)半導体を採用して体積を従来比45%減と小型化した。
ロームは炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスや絶縁ゲートドライバーを中心としたパワーソリューションを提供している。既に急速充電システム関係でSiCが採用されており、今後はメインインバータ...
従来のシリコンや炭化ケイ素(SiC)基板と比べてダイヤモンドの熱伝導は優れるが、GaNとの熱膨張係数が違うため製造工程で不具合が発生しやすかった。
【京都】ロームはスイッチング損失を同社従来品比35%低減した、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品(写真&#...
推進用モーターや装備品モーター、発電機などに向けた炭化ケイ素(SiC)パワー半導体によるインバーターやDC(直流)/DCコンバーターなどを想定する。
今後は技術革新とともに炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など次世代材料の採用も徐々に増えそうだ。 &...
昭和電工は1日、パワー半導体向けに、低欠陥グレードの炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハー「ハイグレードエピ」に第2世代品を開発したと発表した。... SiC薄膜をウエハー上に成長...
N700Sでは駆動システムへの炭化ケイ素(SiC)パワー半導体適用や機器の信頼性向上による床下機器の小型化・軽量化でスペースを捻出。
信頼性を高め、厳しい環境で耐久性が求められる炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といったパワー半導体への使用につなげる。
次世代の炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体を使うインバーターにも対応する。SiCパワー半導体と合わせて、注力する車載市場への展開を加速する。 ロームは25年3月期まで...
乗用車用で高性能の炭化ケイ素(SiC)製も00年に発売した。... ディーゼル車販売が不振の欧州でSiC製のシェア拡大も図る。... ポーランドで20年4月までにSiC製の生産能力を3...
