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三菱電機先端技術総合研究所と東京大学の喜多浩之准教授らは5日、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の電気抵抗を左右する三要素の影響度をそれぞれ求め、対策を施すことで抵抗を3分の1に減らすこ...

2017年度中に生産能力を(現行に比べ)20%引き上げる」 ―炭化ケイ素(SiC)パワー半導体市場が立ち上がりつつあります。 ...

政府が電気自動車(EV)振興を進める中国では汎用品を中心に展開する」 ―自動車向け炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を製品化しました。... 一気に導入...

【名古屋】ビーティーティー(BTT、名古屋市守山区、和久田修志社長、052・736・8441)は名古屋工業大学と共同で、刃先に炭化ケイ素(SiC)単結晶を採用した切削工...

パワー半導体新潮流(4)ローム・伊野和英氏−次世代SiC―MOSFET、商品化 (2017/11/30 電機・電子部品・情報・通信2)

「パワーデバイスの売上高は、シリコンと炭化ケイ素(SiC)の製品を合わせて約700億円。... 現在、SiCパワーデバイスのシェアは独インフィニオン・テクノロジーズ、米クリーに次ぐ第3...

例えば、現在展開している標準化モジュール『J1シリーズ』は、これまでのノウハウを生かし、顧客のニーズが高い性能を盛り込んでおり、強みを生かした一例だ」 ―炭化ケイ素(SiC&...

パワー半導体新潮流(2)インフィニオン、“日本品質”追求で市場拡大 (2017/11/28 電機・電子部品・情報・通信2)

電気自動車(EV)の普及や炭化ケイ素(SiC)といった次世代パワー半導体の登場により、技術競争やシェア争いは激しくなる見通しだ。... 例えば人員や開発リソースの増加分...

パワー半導体新潮流(1)効率・小型化で市場深耕 (2017/11/27 電機・電子部品・情報・通信)

≪SiCパワー半導体、EV需要で普及期≫ パワー半導体各社が攻勢を強めている。... 次の成長の柱となる「炭化ケイ素(SiC)パワー半導体」を武器に、効率化や小型化を...

加えて2年後をめどに、シリコンよりも高いエネルギー効率が見込める炭化ケイ素(SiC)パワー半導体で、小型・軽量化できる「トレンチ構造」の製品を投入する計画。

日立金属、ロームからウエハー製造工程の一部受託 (2017/11/10 素材・ヘルスケア・環境)

日立金属は9日、ロームから炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の製造工程の一部を受託することで合意したと発表した。... 次世代自動車向けをはじめとするSiCパワー半導体の需要増大をにらみ...

今後は、大学などと連携して開発した炭化ケイ素(SiC)半導体パワーモジュールを、製品に搭載することも計画中だ」 ―NECST事業の戦略をどう描きますか。 &#...

次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体では大口径化を進め、生産能力を同5倍に高める。... SiCパワー半導体は姫路半導体工場で、生産ラインのウエハーサイズを従来の4インチ(...

NFT、フォトマスク検査機を量産 薄膜形成装置で欧米進出も (2017/11/3 電機・電子部品・情報・通信)

エピタキシャル装置は、炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)の次世代半導体ウエハーに対応した製品を拡販する。

利昌工業、パワー半導体用エポキシ絶縁材投入 価格セラの10分の1 (2017/10/31 電機・電子部品・情報・通信2)

耐熱温度は270度Cで、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の動作上限温度とされる250度Cを上回る。

「シリコンウエハーの搬送治具などに加工する炭化ケイ素(SiC)、露光装置のレンズ材などに使用する合成石英、シリコンウエハーの化学機械研磨(CMP)に使うセリア系スラリー...

今後は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体により出力密度をさらに高めたインバーター搭載の次世代品の開発も進める。

住友鉱と加賀電子子会社、SiC基板の低コスト量産技術検証 (2017/10/4 素材・ヘルスケア・環境)

住友金属鉱山は3日、加賀電子の子会社のサイコックス(東京都千代田区)に出資し、パワー半導体用の炭化ケイ素(SiC)基板を安価に量産する技術の検証を始めると発表した。従来...

電機や自動車、電力設備などで採用が広がるとされる炭化ケイ素(SiC)次世代パワー半導体などで利用できる。

三菱電機がSiCパワー半導体、電力損失20%超低減 (2017/9/25 電機・電子部品・情報・通信)

三菱電機は従来の炭化ケイ素(SiC)半導体に比べ、電力損失を20%以上低減できるSiCパワー半導体を開発した。... 同じ時間であれば、今回のSiC素子ではオン抵抗を約40&#...

東芝は、パワー半導体向けの炭化ケイ素(SiC)トランジスタについて、素子の性能指標である「移動度」を高められる新製造技術を開発した。SiC基板に絶縁膜を積む際、前処理を施した上で、無害...

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